Главная         Авторы   Статьи   Год проведения   Тематика   Организации        Конференция МЭС

Тематика

---

Листинг работ с разбиеним по тематике докладов. Нажмите на название работы для того, чтобы увидеть ее подробное описание. Выборку можно ограничить, указав диапазон годов проведения конференции, или выбрав одну конкретную тему.

Выбрать: с 2005 2006 2008 2010 2012 2014 2016 2018 2020 2021 2022 2023 2024 по 2005 2006 2008 2010 2012 2014 2016 2018 2020 2021 2022 2023 2024 год

Все темы Веб-технологии в САПР СБИС Генетические алгоритмы в САПР СБИС Исследование магнитных свойств материалов Клеточные автоматы Методы высокоуровневого моделирования Методы и алгоритмы автоматизации топологического проектиров... Методы логического синтеза и функционально-логического моде... Методы моделирования электрических характеристик СБИС Методы приборно-технологического моделирования СБИС Методы цифровой обработки информации и цифровые фильтры Методы электро-теплового моделирования Модели приборов для схемотехнического моделирования Моделирование каналов передачи данных Нейронные сети Нетрадиционные вычислительные системы Проблемы разработки АЦП Проблемы разработки сенсорной микросхемотехники Проектирование СБИС сигнальных процессоров Проектирование аналоговых и смешанных функциональных блоков... Проектирование микро-электромеханических систем Проектирование помехоустойчивых систем Проектирование приборов наноэлектроники Проектирование приборов наноэлектроники на базе джозефсонов... Проектирование радиационно-стойких СБИС Проектирование систем на кристалле (СнК) и IP-блоков Проектирование технологических процессов Проектирование фотоприёмных СБИС Проектирование цифровых функциональных блоков СБИС Проектирование элементной базы для космической и навигацион... Проектирование элементов СБИС Проектирование элементов памяти

Выборка по тематике: Методы приборно-технологического моделирования СБИС

Выбраны работы: с 2005 по 2024 год

В выборке - 68 работ

S

T

А

В

Г

И

К

М

Н

О

П

Р

С

Т

Ф

Ч

Э

S
	SPICE-модели оптоэлектронных элементов для расчета фоточувствительных КМОП-ФД БИС
T
	TCAD моделирование характеристик кремниевых и кремний-германиевых биполярных транзисторов с учетом радиационных эффектов TCAD-моделирование элементов фоточувствительных ПЗС СБИС TCAD-модель фотоприемной ПЗС-ячейки с вертикальным антиблумингом
А
	Анализ влияния формы мембраны на механическую прочность и стабильность параметров МЭМС-сенсоров давления Анализ динамических процессов распространения помех в подложках интегральных элементов методами приборно-технологического моделирования
В
	Вопросы проектирования LDMOS-транзисторов, работающих при повышенном напряжении питания
Г
	Гетеропереходный биполярный транзистор со структурой pnp-типа в арсенид-галлиевой технологии HBT-HEMT
И
	Использование САПР TCAD в проектировании планарных мощных МОП-транзисторов, имеющих повышенное пробивное напряжение в закрытом состоянии Исследование быстродействия SiGe ГБТ при переходе к суб-100 нм топологическим размерам Исследование влияния ионизирующих излучений на характеристики гетероструктурных полевых транзисторов на нитриде галлия Исследование влияния конструктивно-технологических параметров мощных КНИ МОП-транзисторов на границы области безопасной работы приборов Исследование влияния конструктивно-технологических факторов на чувствительность магнитотранзистора методами приборно-технологического моделирования Исследование влияния разброса технологических параметров СБИС на стойкость к эффектам накопленной дозы радиации с помощью средств приборно-технологического моделирования Исследование влияния топологии КМОП-совместимого элемента Холла на его магниточувствительность Исследование и оптимизация технологических параметров формирования логической ячейки на структуре "кремний на изоляторе" Исследование стойкости к воздействию отдельных ядерных частиц ячеек КНИ КМОП ОЗУ методами смешанного 3D TCAD-SPICE моделирования Исследование характеристик МДП-транзисторов с использованием одномерной модели Исследование электрических характеристик КМОП-КНИ- структур с проектными нормами 0.5 мкм для высокотемпературной электроники Исследование электрофизических свойств излучающих GaAs-, GaP- и Al0,3Ga0,7As – p–n-структур с помощью моделирования Исследование ячейки КМОП-совместимого ЭСППЗУ
К
	Критерии выбора моделей при расчете приборных характеристик субмикронных транзисторных структур
М
	Математическое моделирование распределения температуры в тепловых микросенсорах Математическое моделирование электромиграционных отказов межуровневых соединений БИС Методика анализа электромиграции проводящих шин с помощью ускоренных измерений тестовых структур в составе пластин Метод приборно-технологического моделирования свет-сигнальных характеристик элементов КМОП-фотодиодных СБИС Моделирование плазмохимической технологии травления в ВЧ разряде Моделирование плазмохимической технологии травления кремния в смеси CF4/H2 Моделирование процессов равновесной и быстрой термообработок при формировании активных областей субмикронных и нанометровых ИС Моделирование термоэлектрического генератора на основе МЭМС технологии Моделирование технологического процесса формирования катодно-сеточного узла и его эмиссионных свойств Моделирование транзисторных структур силовой электроники Моделирование SEU сбоев в субмикронных КНИ-КМОП ячейках памяти с учетом температурных эффектов Модель расчета I-V характеристик наноразмерного SiC МОП транзистора с глубокими примесями и уровнями захвата Модель учета рельефа границы раздела Si/SiO2 наноразмерного МДП-транзистора в среде TCAD Sentaurus
Н
	Настройка численной модели для исследования транзисторных МОП-структур КНИ-типа с проектными нормами 180 нм в среде TCAD Новые спиропираны для создания элементов молекулярной электроники и фотоники
О
	Одномерное приборно-технологическое моделирование элементов интегральных схем с использованием электронных таблиц Оптимизация напряжения пробоя в IGBT структуре по ее конструктивным и технологическим параметрам Оптимизация технологических режимов изготовления биполярных гетеротранзисторов Особенности проектирования сложных стандартных ячеек в передовых FinFET технологиях Особенности расчёта приборов на основе гетероструктур AlGaN/GaN в САПР приборно-технологического моделирования Особенности электропроводности в легированных размерно-квантовых системах в поперечном электрическом поле О совместном применении матричного метода и аппарата обобщённых степеней Берса для математического моделирования процессов тепломассопереноса в полупроводниковых материалах электронной техники
П
	Перспективы использования SiGe БиКМОП технологии для создания СВЧ микросхем Погрешность и адекватность аналитического моделирования распределения температуры в тепловых микросистемах Приборно-технологические и схемотехнические модели транзисторов БиКМОП СБИС, изготовленных по кремний-германиевой технологии Приборно-технологическое моделирование элементной базы КМОП КНИ БИС с учётом факторов радиационного воздействия Приборно-технологическое моделирование SiGe биполярных и МОП транзисторных структур СБИС Принципы проектирования и моделирование микротермомеханических приёмников ИК-изображения с оптическим считыванием Проблемы использования приборно-технологического моделирования как инструмента проектирования и пути их решения Программный пакет для приборно-технологического моделирования спинтронных приборов на основе магнитных туннельных переходов
Р
	Разработка и моделирование субмикронных PDCFET транзисторов Разработка корпуса многоядерного процессора на основе керамической коммутационной платы Разработка методики анализа дефектности подзатворного диэлектрика на тестовых структурах в составе пластин Разработка оптимальной конструкции датчика магнитного поля на основе латерального магнитотранзистора с помощью средств приборно-технологического моделирования Результаты приборно-технологического моделирования комплементарной биполярной технологии с граничной частотой 10 ГГц и более
С
	Сквозное статистическое проектирование технологии/прибора/схемы/системы Сравнительный анализ двухзатворных беспереходного и традиционного МОП-транзисторов средствами TCAD
Т
	Терморезистивный преобразователь скорости потока газа мембранного типа Технология изготовления взаимодополняющих транзисторов на нитриде галлия Технология плазмо-каталитического роста углеродных наноструктур: особенности и применение в автоэмиссионных схемах
Ф
	Физико-топологическое моделирование фотодетекторов интегральных систем оптической коммутации на основе материалов типа AIIIBV с учетом зависимостей подвижностей носителей заряда от напряженности электрического поля
Ч
	Численная модель полупроводниковых приборов с учетом тепловых эффектов Численное моделирование пропускания солнечного излучения в кремниевых фотовольтаических элементах с текстурированной поверхностью Численное моделирование характеристик элемента Холла на основе МДП-транзистора со встроенным каналом
Э
	Экстракция параметров масштабируемой модели МОП-транзистора Электротермическое моделирование источника опорного напряжения на основе ширины запрещенной зоны кремния