| Исследование влияния ионизирующих излучений на характеристики гетероструктурных полевых транзисторов на нитриде галлия |
|
 |
|
|
| Авторы |
| | Громов Д.В. |
| | Матвеев Ю.А. |
| | Назарова Г.Н. |
| Год публикации |
| | 2012 |
| УДК |
| | 621.382 |
|
| Аннотация |
| | Проведен анализ радиационных эффектов в СВЧ гетероструктурных полевых транзисторах на основе нитрида галлия при воздействии ионизирующих излучений. Установлены физические механизмы радиационного изменения характеристик рассматриваемых GaN транзисторов. |
| Ключевые слова |
| | нитрид галлия, ионизирующее излучение, наногетероструктуры, двумерный электронный газ, СВЧ элементная база. |
| Ссылка на статью |
| | Громов Д.В., Матвеев Ю.А., Назарова Г.Н. Исследование влияния ионизирующих излучений на характеристики гетероструктурных полевых транзисторов на нитриде галлия // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем - 2012. Сборник трудов / под общ. ред. академика РАН А.Л. Стемпковского. М.: ИППМ РАН, 2012. С. 598-603. |
| Адрес статьи |
| | http://www.mes-conference.ru/data/year2012/pdf/D120.pdf |
