| Исследование быстродействия SiGe ГБТ при переходе к суб-100 нм топологическим размерам |
|
 |
|
|
| Авторы |
| | Чаплыгин Ю.А. |
| | Балашов А.Г. |
| | Евдокимов В. |
| | Ключников А.С. |
| Год публикации |
| | 2016 |
| УДК |
| | 538.915+621.382.333.33 |
|
| Аннотация |
| | При переходе к более современному поколению БиКМОП технологии пропорциональное уменьшение размеров n-p-n SiGe гетеропереходного биполярного транзистора (ГБТ) не однозначно ведёт к увеличению его быстродействия и требует всесторонней адаптации структуры. С помощью настроенной САПР Synopsys TCAD разработан и реализован подход к масштабированию и конструктивно-технологической модификации структуры ГБТ для достижения значения граничной частоты выше 100 ГГц. |
| Ключевые слова |
| | кремний-германий, SiGe ГБТ, БиКМОП технология, быстродействие. |
| Ссылка на статью |
| | Чаплыгин Ю.А., Балашов А.Г., Евдокимов В., Ключников А.С. Исследование быстродействия SiGe ГБТ при переходе к суб-100 нм топологическим размерам // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем (МЭС). 2016. № 4. С. 32-36. |
| Адрес статьи |
| | http://www.mes-conference.ru/data/year2016/pdf/D139.pdf |
