| Оптимизация технологических режимов изготовления биполярных гетеротранзисторов |
|
 |
|
|
| Авторы |
| | Панкратов Е.Л. |
| Год публикации |
| | 2010 |
| УДК |
| | 53.01, 53.043 |
|
| Аннотация |
| | В данной работе рассматривается возможность уменьшения глубины залегания сформированных диффузией в полупроводниковой гетероструктуре P-N-переходов, входящих в состав биполярного транзистора. Показано, что для формирования P-N-переходов с требуемой глубиной необходимо введение примесей в оптимальные моменты времени. |
| Ключевые слова |
| | Формирование p-n-переходов диффузией; гетероструктуры; оптимизация отжига примеси |
| Ссылка на статью |
| | Панкратов Е.Л. Оптимизация технологических режимов изготовления биполярных гетеротранзисторов // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем - 2010. Сборник трудов / под общ. ред. академика А.Л.Стемпковского. М.:ИППМ РАН, 2010. С. 662-665. |
| Адрес статьи |
| | http://www.mes-conference.ru/data/year2010/papers/m10-24-54432.pdf |
