| Сравнительный анализ двухзатворных беспереходного и традиционного МОП-транзисторов средствами TCAD |
|
 |
|
|
| Авторы |
| | Чаплыгин Ю.А. |
| | Крупкина Т.Ю. |
| | Королев М.А. |
| | Красюков А.Ю. |
| | Артамонова Е.А. |
| Год публикации |
| | 2018 |
| DOI |
| | 10.31114/2078-7707-2018-3-87-92 |
| УДК |
| | 621.3.049.771 |
|
| Аннотация |
| | Проведен сравнительный анализ электрических характеристик двухзатворных беспереходного и традиционного МОП-транзистора с проектными нормами 90 нм. Отмечены недостатки беспереходного транзистора, обусловленные высоким уровнем легирования его канала. С использованием средств TCAD показано, что при умеренном уровне легирования канала беспереходного транзистора, прибор имеет существенно меньшие токи утечки и подпороговый наклон по сравнению с обычным двухзатворным инверсионным МОП-транзистором при сопоставимых значениях порогового напряжения и тока насыщения. |
| Ключевые слова |
| | двухзатворный беспереходной МОП-транзистор, моделирование, TCAD, электрические характеристики. |
| Ссылка на статью |
| | Чаплыгин Ю.А., Крупкина Т.Ю., Королев М.А., Красюков А.Ю., Артамонова Е.А. Сравнительный анализ двухзатворных беспереходного и традиционного МОП-транзисторов средствами TCAD // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем. 2018. Выпуск 3. С. 87-92. doi:10.31114/2078-7707-2018-3-87-92 |
| Адрес статьи |
| | http://www.mes-conference.ru/data/year2018/pdf/D110.pdf |
