| Разработка методики анализа дефектности подзатворного диэлектрика на тестовых структурах в составе пластин |
|
 |
|
|
| Авторы |
| | Сивченко А.С. |
| Год публикации |
| | 2014 |
| УДК |
| | 621.3.049.77 |
|
| Аннотация |
| | В статье представлена методика определения дефектности подзатворного диэлектрика в МОП транзисторах. Основой предложенной методики являются специально разработанные тестовые структуры, алгоритм измерения тестовых структур для определения и контроля дефектности, а также автоматизированная программа измерений позволяющая проводить контроль дефектности в автоматическом режиме |
| Ключевые слова |
| | дефектность подзатворного диэлектрика, МОП транзистор, надёжность, контроль параметров технологического процесса, WLR, TDDB |
| Ссылка на статью |
| | Сивченко А.С. Разработка методики анализа дефектности подзатворного диэлектрика на тестовых структурах в составе пластин // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем - 2014. Сборник трудов / под общ. ред. академика РАН А.Л. Стемпковского. М.: ИППМ РАН, 2014. Часть 2. С. 145-150. |
| Адрес статьи |
| | http://www.mes-conference.ru/data/year2014/pdf/D051.pdf |
