Главная         Авторы   Статьи   Год проведения   Тематика   Организации        Конференция МЭС

Численная модель полупроводниковых приборов с учетом тепловых эффектов
Авторы
	Русаков А.С.
	Романо В.
Год публикации
	2010
УДК
	519.6, 519.24
Аннотация
	В работе представлена новая численная модель полупроводниковых приборов, учитывающая тепловые эффекты,возникающие в кристаллической решетке. Уравнения модели получены с помощью принципа максимальной энтропии. В работе приведены результаты численных экспериментов по расчету установившегося решения в МОП транзисторе, а также расчеты электронной схемы, включающeй модельный транзистор.
Ключевые слова
	принцип максимальной энтропии, электротепловое моделирование, модель полупроводников
Ссылка на статью
	Русаков А.С., Романо В. Численная модель полупроводниковых приборов с учетом тепловых эффектов // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем - 2010. Сборник трудов / под общ. ред. академика А.Л.Стемпковского. М.:ИППМ РАН, 2010. С. 70-75.
Адрес статьи
	http://www.mes-conference.ru/data/year2010/papers/m10-207-53941.pdf