Главная         Авторы   Статьи   Год проведения   Тематика   Организации        Конференция МЭС

Гетеропереходный биполярный транзистор со структурой pnp-типа в арсенид-галлиевой технологии HBT-HEMT
Авторы
	Ловшенко И.Ю.
	Кратович П.С.
	Стемпицкий В.Р.
	Дворников О.В.
	Кунц А.В.
	Павлючик А.А.
Год публикации
	2022
DOI
	10.31114/2078-7707-2022-4-149-154
УДК
	621.382
Аннотация
	Выполнен анализ современного состояния разработок интегральных микросхем (ИМС) для жестких условий эксплуатации, на основании которого предложено использование арсенид-галлиевой технологии HBT-HEMT. Представлены результаты приборно-технологического (TCAD) моделирования электрических характеристик гетеропереходного биполярного транзистора со структурой pnp-типа на основе GaAs. Определены следующие основные параметры: напряжение Эрли VA, коэффициент усиления базового тока в схеме с общим эмиттером BETA, напряжение пробоя промежутка коллектор-эмиттер VКЭBR, граничная частота fгр. Исследовано влияние на указанные параметры атомарного состава x соединения AlxGa1-xAs, ширины активной базы WБ и даны рекомендации по выбору их оптимальных значений. Приведена оценка изменения параметров приборной структуры pnp-HBT при вариации температуры.
Ключевые слова
	гетеропереход, гетеропереходный биполярный транзистор, AIIIBV, моделирование, эксплуатационные характеристики, коэффициент усиления по току, напряжение Эрли, напряжение пробоя.
Ссылка на статью
	Ловшенко И.Ю., Кратович П.С., Стемпицкий В.Р., Дворников О.В., Кунц А.В., Павлючик А.А. Гетеропереходный биполярный транзистор со структурой pnp-типа в арсенид-галлиевой технологии HBT-HEMT // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем (МЭС). 2022. Выпуск 4. С. 149-154. doi:10.31114/2078-7707-2022-4-149-154
Адрес статьи
	http://www.mes-conference.ru/data/year2022/pdf/D083.pdf