| Вопросы проектирования LDMOS-транзисторов, работающих при повышенном напряжении питания |
|
 |
|
|
| Авторы |
| | Глушко А.А. |
| | Бабкин С.И. |
| | Амирханов А.В. |
| | Зинченко Л.А. |
| | Макарчук В.В. |
| Год публикации |
| | 2018 |
| DOI |
| | 10.31114/2078-7707-2018-3-93-97 |
| УДК |
| | 004.942 |
|
| Аннотация |
| | рассмотрены вопросы проектирования LDMOS-транзисторов, ориентированных на работу при напряжении питания +12В. Особое внимание уделено определению концентрации примеси в области легирования DRIFT для достижения максимального напряжения пробоя транзистора. |
| Ключевые слова |
| | МОП-транзистор, моделирование, технология, СБИС |
| Ссылка на статью |
| | Глушко А.А., Бабкин С.И., Амирханов А.В., Зинченко Л.А., Макарчук В.В. Вопросы проектирования LDMOS-транзисторов, работающих при повышенном напряжении питания // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем. 2018. Выпуск 3. С. 93-97. doi:10.31114/2078-7707-2018-3-93-97 |
| Адрес статьи |
| | http://www.mes-conference.ru/data/year2018/pdf/D111.pdf |
