Главная         Авторы   Статьи   Год проведения   Тематика   Организации        Конференция МЭС

Численное моделирование характеристик элемента Холла на основе МДП-транзистора со встроенным каналом
Авторы
	Хафизов Р.З.
	Павлюк М.И.
	Тимофеев А.Е.
Год публикации
	2018
DOI
	10.31114/2078-7707-2018-3-82-86
УДК
	621.382.001
Аннотация
	Методами приборно-технологического моделирования исследованы электрофизические параметры и характеристики магнитной чувствительности кремниевых полевых элементов Холла на основе МДП-структур со встроенным каналом в широком диапазоне управляющих потенциалов. Для модельной осесимметричной структуры, соответствующей КМОП технологии уровня 0,35 мкм, выявлена динамика пространственного распределения концентрации свободных носителей заряда и плотности тока в приповерхностном слое полупроводника, определяющая зависимость ЭДС Холла от степени взаимодействия носителей заряда с границей раздела полупроводник-диэлектрик. Показано, что за счет управления электростатическим состоянием канала проводимости МДП-элементов Холла можно в широких пределах регулировать чувствительность полевых магнитных датчиков (ПДХ), обеспечивая условия для реализации дополнительных интеллектуальных функций сенсорных магниточувствительных приборов.
Ключевые слова
	элемент Холла (ЭХ), ЭДС Холла, магнитная индукция, область пространственного заряда (ОПЗ), структура металл-диэлектрик-полупроводник (МДП), полевой датчик Холла (ПДХ), КМОП технология, структура кремний на изоляторе (КНИ), интегральная схема (ИС).
Ссылка на статью
	Хафизов Р.З., Павлюк М.И., Тимофеев А.Е. Численное моделирование характеристик элемента Холла на основе МДП-транзистора со встроенным каналом // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем. 2018. Выпуск 3. С. 82-86. doi:10.31114/2078-7707-2018-3-82-86
Адрес статьи
	http://www.mes-conference.ru/data/year2018/pdf/D109.pdf