| Настройка численной модели для исследования транзисторных МОП-структур КНИ-типа с проектными нормами 180 нм в среде TCAD |
|
 |
|
|
| Авторы |
| | Артамонова Е.А. |
| | Ключников А.С. |
| | Красюков А.Ю. |
| | Крупкина Т.Ю. |
| | Шелепин Н.А. |
| Год публикации |
| | 2014 |
| УДК |
| | 621.382.323 |
|
| Аннотация |
| | Работа посвящена настройке численной модели для исследования МОП-транзисторов с проектными нормами 180 нм, реализованных на подложке кремний-на-изоляторе (КНИ). Выбор параметров модели осуществлялся на основе сравнения расчетных и экспериментальных вольт-фарадных характеристик (ВФХ) и вольт-амперных характеристик (ВАХ) транзисторов |
| Ключевые слова |
| | МДП-структура, численное моделирование, кремний-на-изоляторе (КНИ), TCAD |
| Ссылка на статью |
| | Артамонова Е.А., Ключников А.С., Красюков А.Ю., Крупкина Т.Ю., Шелепин Н.А. Настройка численной модели для исследования транзисторных МОП-структур КНИ-типа с проектными нормами 180 нм в среде TCAD // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем - 2014. Сборник трудов / под общ. ред. академика РАН А.Л. Стемпковского. М.: ИППМ РАН, 2014. Часть 2. С. 151-154. |
| Адрес статьи |
| | http://www.mes-conference.ru/data/year2014/pdf/D160.pdf |
