Главная         Авторы   Статьи   Год проведения   Тематика   Организации        Конференция МЭС

Исследование электрофизических свойств излучающих GaAs-, GaP- и Al0,3Ga0,7As – p–n-структур с помощью моделирования
Авторы
	Лагунович Н.Л.
Год публикации
	2022
DOI
	10.31114/2078-7707-2022-1-14-20
УДК
	621.382.233.049.774
Аннотация
	Целью данной работы были разработка одномерных моделей структур с p–n-переходом, получаемых на основе GaAs, GaP и Al0,3Ga0,7As, и исследование их электрофизических свойств и излучательных характеристик методом моделирования. Выполнено приборное моделирование таких структур с помощью разработанной автором программы MOD-1D, которая дала возможность рассчитать и построить зависимости интенсивности излучения исследуемых диодных структур от координаты и получить зависимости положения максимума интенсивности их излучения от напряжения, прикладываемого к p–n-переходу. Установлено, что при низких уровнях инжекции максимум интенсивности излучения смещается от границы p–n-перехода в область с более высоким уровнем концентрации примеси, а в условиях высокого уровня инжекции с ростом напряжения смещения, прикладываемого к p–n-переходу, дальнейшее смещение максимума интенсивности излучения почти прекращается и становится незначительным.
Ключевые слова
	p–n-переход, полупроводниковая светоизлучающая структура, приборное моделирование, прямое падение напряжения, интенсивность излучения, уровень инжекции.
Ссылка на статью
	Лагунович Н.Л. Исследование электрофизических свойств излучающих GaAs-, GaP- и Al0,3Ga0,7As – p–n-структур с помощью моделирования // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем (МЭС). 2022. Выпуск 1. С. 14-20. doi:10.31114/2078-7707-2022-1-14-20
Адрес статьи
	http://www.mes-conference.ru/data/year2022/pdf/D003.pdf