| Разработка и моделирование субмикронных PDCFET транзисторов |
|
 |
|
|
| Авторы |
| | Краснюк А.А. |
| | Орлов О.М. |
| | Имаметдинов Э. |
| | Марьина Е. |
| Год публикации |
| | 2014 |
| УДК |
| | 621.382.323 |
|
| Аннотация |
| | Предложена модель для характеризации субмикронных полевых транзисторов с периодически легированным каналом PDCFET. Показано улучшение характеристик за счет геометрического фактора уменьшения эффективной длины. |
| Ключевые слова |
| | МДП транзисторы, периодически легированный канал, TCAD – модель, самоформирующиеся наноструктуры. |
| Ссылка на статью |
| | Краснюк А.А., Орлов О.М., Имаметдинов Э., Марьина Е. Разработка и моделирование субмикронных PDCFET транзисторов // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем - 2014. Сборник трудов / под общ. ред. академика РАН А.Л. Стемпковского. М.: ИППМ РАН, 2014. Часть 2. С. 155-158. |
| Адрес статьи |
| | http://www.mes-conference.ru/data/year2014/pdf/D024.pdf |
