Главная         Авторы   Статьи   Год проведения   Тематика   Организации        Конференция МЭС

Физико-топологическое моделирование фотодетекторов интегральных систем оптической коммутации на основе материалов типа AIIIBV с учетом зависимостей подвижностей носителей заряда от напряженности электрического поля  

Авторы
 Писаренко И.В.
 Рындин Е.А.
Год публикации
 2016
УДК
 621.383.52

Аннотация
 Данная работа посвящена проблеме исследования и разработки быстродействующих полупроводниковых фотодетекторов, предназначенных для функционирования в составе интегральных систем оптической коммутации совместно с лазерами-модуляторами на основе наногетероструктур типа AIIIBV. Предложены авторские нестационарные численные физико-топологические модели, методы моделирования и прикладные программные средства, которые позволяют исследовать процессы переноса и накопления носителей заряда, протекающие в структурах базовых типов интегральных полупроводниковых фотоприемников. Для повышения адекватности и точности результатов моделирования в предлагаемых моделях учитываются зависимости подвижностей носителей заряда от напряженности электрического поля, обусловленные междолинным переходом электронов и насыщением дрейфовых скоростей носителей заряда в GaAs. На основе полученных результатов сделаны выводы о существенном влиянии указанных физических эффектов на быстродействие интегральных фотодетекторов на основе материалов типа AIIIBV и необходимости их учета при моделировании подобных приборов.
Ключевые слова
 интегральные системы оптической коммутации, быстродействующие интегральные фотодетекторы, численное физико-топологическое моделирование, диффузионно-дрейфовая система уравнений, моделирование зависимостей подвижностей носителей заряда в GaAs от напряженности электрического поля.
Ссылка на статью
 Писаренко И.В., Рындин Е.А. Физико-топологическое моделирование фотодетекторов интегральных систем оптической коммутации на основе материалов типа AIIIBV с учетом зависимостей подвижностей носителей заряда от напряженности электрического поля // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем (МЭС). 2016. № 4. С. 16-23.
Адрес статьи
 http://www.mes-conference.ru/data/year2016/pdf/D062.pdf

Copyright © 2009-2024 ИППМ РАН. All Rights Reserved.

Разработка сайта - ИППМ РАН