Главная         Авторы   Статьи   Год проведения   Тематика   Организации        Конференция МЭС

Тематика

Листинг работ с разбиеним по тематике докладов. Нажмите на название работы для того, чтобы увидеть ее подробное описание. Выборку можно ограничить, указав диапазон годов проведения конференции, или выбрав одну конкретную тему.

Выбрать: с по год
 
Все темы

Веб-технологии в САПР СБИС
Генетические алгоритмы в САПР СБИС
Исследование магнитных свойств материалов
Клеточные автоматы
Методы высокоуровневого моделирования
Методы и алгоритмы автоматизации топологического проектиров...
Методы логического синтеза и функционально-логического моде...
Методы моделирования электрических характеристик СБИС
Методы приборно-технологического моделирования СБИС
Методы цифровой обработки информации и цифровые фильтры
Методы электро-теплового моделирования
Модели приборов для схемотехнического моделирования
Моделирование каналов передачи данных
Нейронные сети
Нетрадиционные вычислительные системы
Проблемы разработки АЦП
Проблемы разработки сенсорной микросхемотехники
Проектирование СБИС сигнальных процессоров
Проектирование аналоговых и смешанных функциональных блоков...
Проектирование микро-электромеханических систем
Проектирование помехоустойчивых систем
Проектирование приборов наноэлектроники
Проектирование приборов наноэлектроники на базе джозефсонов...
Проектирование радиационно-стойких СБИС
Проектирование систем на кристалле (СнК) и IP-блоков
Проектирование технологических процессов
Проектирование фотоприёмных СБИС
Проектирование цифровых функциональных блоков СБИС
Проектирование элементной базы для космической и навигацион...
Проектирование элементов СБИС
Проектирование элементов памяти
Выборка по тематике: Проектирование радиационно-стойких СБИС
Выбраны работы: с 2005 по 2024 год
В выборке - 85 работ
T А В Д И К Л М Н О П Р С У Ф Э
T 
 
TCAD и SPICE-модели для описания радиационных эффектов в наноразмерных МОП-транзисторных структурах
TCAD моделирование характеристик кремниевых и кремний-германиевых биполярных транзисторов с учетом радиационных эффектов
А 
 
Автоматизированная пикосекундная лазерная установка для моделирования эффектов от отдельных заряженных частиц космического пространства в микроэлектронных приборах
Автономные параметры транзисторов базового матричного кристалла АБМК_1_3 в условиях радиационных и температурных воздействий
Алгоритмы тестирования памяти при проведении радиационных испытаний микропроцессорного модуля
Анализ современного программного обеспечения для оценки локальных условий функционирования СБИС на борту космических аппаратов в части ионизирующих излучений космического пространства
Аналого-цифровые преобразователи радиационно-стойких СФ блоков
В 
 
Влияние предварительного облучения на одиночные радиационные эффекты
Влияние угла падения тяжелых заряженных частиц и записанного кода на кратность сбоев в микросхемах СОЗУ
Выбор технологического процесса для производства специализированных радиационно-стойких СБИС типа «система в корпусе»
Д 
 
Двухпараметрическая модель для оценки чувствительности СБИС к воздействию тяжелых заряженных частиц
И 
 
Импортозамещающие практические разработки и проекты ИС на базе радиационностойкого АБМК
Инструментальные и мультидифференциальные усилители датчиковых систем на основе новой микросхемы базового структурного кристалла MH2XA010
Исследование БИС СОЗУ 8К на основе КНИ структур
Исследование влияния ионизирующих излучений на характеристики гетероструктурных полевых транзисторов на нитриде галлия
Исследование влияния разброса технологических параметров СБИС на стойкость к эффектам накопленной дозы радиации с помощью средств приборно-технологического моделирования
Исследование и разработка структур для экстракции параметров моделей схемотехнического учета дозовых радиационных эффектов субмикронных СБИС
Исследование катастрофических отказов в ПЗС при воздействии ТЗЧ
Исследование стойкости к воздействию отдельных ядерных частиц ячеек КНИ КМОП ОЗУ методами смешанного 3D TCAD-SPICE моделирования
К 
 
КМОП 65-нм статические ОЗУ на ячейках памяти DICE с разнесенными на кристалле группами транзисторов
Комбинированные методы парирования сбоев и отказов статической оперативной памяти в «системах на кристалле»
Компактная SPICE-модель КНИ МОП-транзистора для проектирования спецстойких СБИС с проектными нормами 0.35 мкм
Комплексный подход к проектированию радиационно-стойких аналоговых микросхем. Часть 2. Базовые схемотехнические решения АБМК 1-3
Конструкции ячеек радиационно-стойких энергонезависимых ОЗУ, интегрированных в КМОП КНИ процесс
Л 
 
Логический элемент сравнения для 65 нм КМОП селекторов ассоциативных запоминающих устройств
М 
 
Мажоритарный КМОП элемент при переключении и сборе заряда с трека одиночной частицы
Методика выбора параметров логической цепи в нанометровых КМОП СБИС с повышенной сбоеустойчивостью
Методики исследования и предотвращения развития катастрофического отказа вследствие одиночного тиристорного эффекта
Методология проектирования радиационно-стойких микросхем на основе БМК для космических аппаратов
Метод разбиения сечения сбоев по кратности для прогнозирования частот множественных сбоев в космосе
Методы контроля стойкости специализированных СБИС к естественным ионизирующим излучениям космического пространства
Методы обеспечения стойкости микросхем к одиночным событиям при проектировании радиационно-стойких микросхем
Механизмы многократных сбоев в микросхемах памяти
Микроконтроллер 1830ВЕ32У – 8-разрядная архитектура MCS-51 в радиационно-стойком исполнении
Микросборка мультиплексного канала по ГОСТ Р 52070-2003 в радиационно-стойком исполнении. Новые возможности бортового применения
Моделирование нестационарных характеристик КМОП 28-нм ячеек памяти DICE с учетом эффектов воздействия одиночных ядерных частиц
Моделирование радиационно-индуцированных токов утечки в МОП-структурах при воздействии гамма- и рентгеновского излучений
Моделирование сбоеустойчивости 65 нм шеститранзисторных КМОП ячеек памяти к локальному воздействию импульса тока
Моделирование сбора заряда при воздействии тяжелых заряженных частиц в КМОП элементах микросхем
Н 
 
Нестабильные одиночные тиристорные эффекты в КМОП ИС
Новое поколение детекторов рентгеновского излучения на пиксельных матрицах
О 
 
Опыт разработки радиационно-стойкого контроллера накопителя для бортовой космической аппаратуры
Особенности импульсных помех в КМОП комбинационных логических элементах при сборе заряда с треков одиночных частиц
Особенности оценки ионизационной реакции СБИС при импульсном нейтронном воздействии
Особенности оценки радиационной стойкости микросхем в специализированных защитных корпусах
Особенности проектирования радиационно-стойких библиотек элементов, СФ-блоков и нано-СБИС СнК
Особенности проявления и регистрации тиристорного эффекта в КМОП СБИС при воздействии однородного импульсного лазерного излучения
Особенности радиационных испытаний аналоговых микросхем
Особенности схемотехнического проектирования радиационно-стойких ИС на АБМК
Особенности экспериментальных методов исследования микросхем памяти с помехоустойчивым кодированием данных
Особенность схемотехники радиационно-стойких усилителей на базе БиМОП АБМК
Оценка конструктивно-технологических возможностей повышения радиационной стойкости глубоко-субмикронных СБИС
Оценка на основе TCAD моделирования устойчивости к сбоям элементов на базе ячеек STG DICE для 65-нм КМОП блоков ассоциативной памяти
Оценка параметров чувствительности БИС к эффектам воздействия отдельных ядерных частиц с использованием лазерной и импульсной гамма- установок
Оценка параметров чувствительности БИС по одиночным эффектам с помощью лазерного излучения
Оценка параметров чувствительности СБИС к радиационным эффектам с помощью методики локального лазерного облучения
Оценка стойкости КМОП СБИС к фактору поглощенной дозы при воздействии импульсного излучения
Оценка частоты одиночных радиационных эффектов для современных СБИС
Оценка чувствительности СБИС к одиночным радиационным эффектам при нейтронном воздействии
П 
 
Перспективы использования субмикронных КМОП СБИС в сбоеустойчивой аппаратуре, работающей под воздействием атмосферных нейтронов
Поляризация полупроводниковых сенсоров ионизирующего излучения на основе алмазных материалов
Приборно-технологическое моделирование элементной базы КМОП КНИ БИС с учётом факторов радиационного воздействия
Применение квазигидродинамической модели для анализа электронного транспорта в полевых и биполярных транзисторах в условиях импульсного ионизирующего излучения с учетом повышенных температур
Применение методики неразрушающего контроля дозовой стойкости партий КМОП КНС БИС
Проблемы методологии процессов САПР при проектировании электронной компонентной базы специального назначения для оценки радиационной стойкости
Проектирование базовых элементов памяти на основе ячеек DICE для сбоеустойчивых КМОП 28 нм ОЗУ
Проектирование компараторов напряжений на базе элементов радиационно-стойкого низкотемпературного BiJFET базового матричного кристалла МН2ХА030
Р 
 
Радиационная стойкость МЭМС-сенсоров и методика ее оценки
Радиационно-стойкие КМОП СБИС ОЗУ по технологии объемного кремния
Радиационно-стойкие аналоговые интегральные схемы
Расчетно-экспериментальная оценка сбоеустойчивости ИС в условиях космического пространства
Рациональный состав типовой оценочной схемы для контроля радиационной стойкости партий пластин базовых матричных кристаллов
С 
 
Сбоеустойчивость двухфазных 28 нм КМОП инверторов к одиночным эффектам воздействия ядерных частиц
Создание IBIS моделей цифровых микросхем с учетом воздействия внешних факторов
Способ повышения стабильности нуля аналоговых микросхем с высокоимпедансным узлом в условиях температурных и радиационных воздействий
Сравнительное исследование ионизационных эффектов в стабилизаторе напряжения TEN5-2423 от протонного и гамма-излучения
Сравнительное моделирование сбоеустойчивости суб-100-нм двухфазных КМОП инверторов с разными проектными нормами к воздействию локальных импульсов тока
Сравнительный анализ образования импульсов ложных сигналов на выходах КМОП тройных мажоритарных элементов при сборе заряда с треков одиночных ионизирующих частиц
Статистический подход к описанию множественных сбоев в цифровых схемах памяти высокой степени интеграции
Субмикронные КМОП цифровые элементы с повышенной устойчивостью к воздействию атмосферных нейтронов
У 
 
Унифицированный подход к проведению испытаний высокоскоростных цифровых микросхем на стойкость к воздействию ТЗЧ
Учет влияния проникающей радиации в "Spice-подобных" программах
Учет одновременного воздействия низких температур и проникающей радиации на характеристики биполярных и JFET транзисторов при схемотехническом моделировании
Ф 
 
Фемтосекундный лазерный комплекс для тестирования СБИС на стойкость к воздействию тяжелых заряженных частиц
Э 
 
Экспериментальная апробация приближений для лазерных методик исследований ОРЭ

Copyright © 2009-2024 ИППМ РАН. All Rights Reserved.

Разработка сайта - ИППМ РАН