| Применение квазигидродинамической модели для анализа электронного транспорта в полевых и биполярных транзисторах в условиях импульсного ионизирующего излучения с учетом повышенных температур |
|
|
| Авторы |
| | Пузанов А.С. |
| | Волкова Е.В. |
| | Оболенский С.В. |
| | Петров С.Г. |
| Год публикации |
| | 2008 |
| УДК |
| | 621.38 |
|
| Аннотация |
| | Обсуждены особенности применения
квазигидродинамической модели для анализа электронного транспорта в полевых и биполярных транзисторах в условиях воздействия импульсного гамма- и нейтронного излучения с учетом повышенных температур. Приводятся результаты расчетов времен релаксации энергии и квазиимпульса электронов в условиях радиационного облучения и при повышенных температурах.
Проводится сравнение результатов моделирования и
экспериментальных данных. Обсуждаются особенности
моделирования высокоэнергетических процессов, таких как ударная ионизация в коллекторном переходе биполярного транзистора, с использованием квазигидродинамической модели и метода Монте-Карло. |
| Ключевые слова |
| | квазигидродинамическая модель, полевые и биполярные транзисторы, ионизирующее излучение |
| Ссылка на статью |
| | Пузанов А.С., Волкова Е.В., Оболенский С.В., Петров С.Г. Применение квазигидродинамической модели для анализа электронного транспорта в полевых и биполярных транзисторах в условиях импульсного ионизирующего излучения с учетом повышенных температур // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем - 2008. Сборник научных трудов / под общ. ред. А.Л.Стемпковского. М.:ИППМ РАН, 2008. С. 286-292. |
| Адрес статьи |
| | http://www.mes-conference.ru/data/year2008/52.pdf |
