| Оценка стойкости КМОП СБИС к фактору поглощенной дозы при воздействии импульсного излучения |
|
 |
|
|
| Авторы |
| | Согоян А.В. |
| Год публикации |
| | 2010 |
| УДК |
| | 621.382 |
|
| Аннотация |
| | Предложен и обоснован метод испытаний КМОП СБИС на стойкость к фактору поглощенной дозы при воздействии импульсного ионизирующего излучения высокой интенсивности по результатам анализа реакции БИС в поле излучения последовательности импульсов относительно невысокой интенсивности. Подход позволяет оценить уровни радиационной стойкости КМОП БИС на малых моделирующих установках при наборе дозы в режиме серии импульсов. Консервативность обеспечивается по отношению к процессам переноса и релаксации заряда в окисле МОП-структур и не зависит от полевого режима и топологии образца. |
| Ключевые слова |
| | СБИС; излучение; доза; мощность дозы |
| Ссылка на статью |
| | Согоян А.В. Оценка стойкости КМОП СБИС к фактору поглощенной дозы при воздействии импульсного излучения // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем - 2010. Сборник трудов / под общ. ред. академика А.Л.Стемпковского. М.:ИППМ РАН, 2010. С. 253-256. |
| Адрес статьи |
| | http://www.mes-conference.ru/data/year2010/papers/m10-294-88591.pdf |
