Главная         Авторы   Статьи   Год проведения   Тематика   Организации        Конференция МЭС

Радиационно-стойкие КМОП СБИС ОЗУ по технологии объемного кремния  

Авторы
 Герасимов Ю.М.
 Григорьев Н.Г.
 Гусев В.В.
 Кобыляцкий А.В.
 Петричкович Я.Я.
Год публикации
 2014
УДК
 621.382

Аннотация
 Проанализированы архитектурные, схемотехнические и конструктивно-топологические методы радиационно-стойкого проектирования (РСП, в зарубежной технологии RHBD- Radiation Hardening by Design) КМОП СБИС ОЗУ и сложно-функциональных (СФ) - блоков на основе стандартных правил и технологии изготовления объемного кремния уровня 250…90нм. Показано, что по основным параметрам стойкости, предъявляемым к аппаратуре для аэрокосмических применений и авионики, такие ОЗУ не уступают своим аналогам, изготавливаемым по технологии КНИ. При этом они технологичнее, существенно дешевле и обладают сравнимым быстродействием. Приводятся конкретные результаты проектирования и исследования КМОП СБИС ОЗУ емкостью 4Мбит и 16Мбит, а также СФ-блоков в составе СБИС по технологии объемного кремния 250нм…130нм.
Ключевые слова
 КМОП СБИС ОЗУ, СФ-блоки ОЗУ, RHBD
Ссылка на статью
 Герасимов Ю.М., Григорьев Н.Г., Гусев В.В., Кобыляцкий А.В., Петричкович Я.Я. Радиационно-стойкие КМОП СБИС ОЗУ по технологии объемного кремния // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем - 2014. Сборник трудов / под общ. ред. академика РАН А.Л. Стемпковского. М.: ИППМ РАН, 2014. Часть 3. С. 171-176.
Адрес статьи
 http://www.mes-conference.ru/data/year2014/pdf/D090.pdf

Copyright © 2009-2024 ИППМ РАН. All Rights Reserved.

Разработка сайта - ИППМ РАН