| Учет одновременного воздействия низких температур и проникающей радиации на характеристики биполярных и JFET транзисторов при схемотехническом моделировании |
|
 |
|
|
| Авторы |
| | Дворников О.В. |
| | Чеховский В.А. |
| | Прокопенко Н.Н. |
| | Галкин Я.Д. |
| | Кунц А.В. |
| Год публикации |
| | 2020 |
| DOI |
| | 10.31114/2078-7707-2020-1-46-55 |
| УДК |
| | 621.3.049 |
|
| Аннотация |
| | Представлен аналитический обзор разработанного комплекса средств, предназначенных для учета в "Spice-подобных" программах влияния гамма-излучения, потока нейтронов и низких температур на вольтамперные характеристики (ВАХ) биполярных транзисторов (BJT) и полевых транзисторов с p-n-переходом (JFET). Описаны особенности библиотек параметров BJT и JFET, изготовленных по двум технологическим маршрутам ОАО "Интеграл" (г. Минск), приведено сравнение результатов измерений и моделирования основных ВАХ. |
| Ключевые слова |
| | "Spice-модели", схемотехническое моделирование, радиационная стойкость, криогенная электроника |
| Ссылка на статью |
| | Дворников О.В., Чеховский В.А., Прокопенко Н.Н., Галкин Я.Д., Кунц А.В. Учет одновременного воздействия низких температур и проникающей радиации на характеристики биполярных и JFET транзисторов при схемотехническом моделировании // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем (МЭС). 2020. Выпуск 1. С. 46-55. doi:10.31114/2078-7707-2020-1-46-55 |
| Адрес статьи |
| | http://www.mes-conference.ru/data/year2020/pdf/D033.pdf |
