| Моделирование сбоеустойчивости 65 нм шеститранзисторных КМОП ячеек памяти к локальному воздействию импульса тока |
|
 |
|
|
| Авторы |
| | Стенин В.Я. |
| | Степанов П.В. |
| Год публикации |
| | 2012 |
| УДК |
| | 621.382+621.396.6 |
|
| Аннотация |
| | Определены характеристики чувствительности ячеек памяти с разными размерами транзисторов для проектной нормы 65 нм. Воздействие отдельной ядерной частицы моделировалось импульсом тока с постоянными времени нарастания 10 пс и спада 30 пс. Установлены пределы критических значений амплитуд импульсов тока IФ.М.КР и критических зарядов QКР для ячеек памяти в режимах записи, хранения и чтения. |
| Ключевые слова |
| | КМОП ячейка памяти; локальный импульс тока; критическая амплитуда тока; критический заряд. |
| Ссылка на статью |
| | Стенин В.Я., Степанов П.В. Моделирование сбоеустойчивости 65 нм шеститранзисторных КМОП ячеек памяти к локальному воздействию импульса тока // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем - 2012. Сборник трудов / под общ. ред. академика РАН А.Л. Стемпковского. М.: ИППМ РАН, 2012. С. 419-422. |
| Адрес статьи |
| | http://www.mes-conference.ru/data/year2012/pdf/D34.pdf |
