Главная         Авторы   Статьи   Год проведения   Тематика   Организации        Конференция МЭС

Комбинированные методы парирования сбоев и отказов статической оперативной памяти в «системах на кристалле»
Авторы
	Щигорев Л.А.
	Шагурин И.И.
Год публикации
	2020
DOI
	10.31114/2078-7707-2020-1-148-154
УДК
	004.087.2
Аннотация
	Представлен обзор работ авторов в области разработки методов и устройств, повышающих помехоустойчивость блоков статической оперативной памяти, применяемых в современных «системах на кристалле». В частности, приведены сравнительные оценки различных комбинаций методов повышения сбое- и отказоустойчивости, даны рекомендации по использованию методов и разработанных вспомогательных устройств. Предложен способ расчета вероятности работоспособности памяти при разбиении на блоки, хранящие информационные слова меньшей разрядности. Показано, что разбиение блока памяти ведет к росту числа парируемых неработоспособных ячеек памяти в 8 раз для вероятности работоспособности памяти равной 98%.
Ключевые слова
	саморемонт памяти, самотестирование памяти, «система на кристалле» (СнК), резервирование, запасные столбцы, комбинированные методы повышения сбое- и отказоустойчивости памяти, выход годных (ВГД), статическая оперативная память (СОЗУ).
Ссылка на статью
	Щигорев Л.А., Шагурин И.И. Комбинированные методы парирования сбоев и отказов статической оперативной памяти в «системах на кристалле» // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем (МЭС). 2020. Выпуск 1. С. 148-154. doi:10.31114/2078-7707-2020-1-148-154
Адрес статьи
	http://www.mes-conference.ru/data/year2020/pdf/D015.pdf