| Проектирование базовых элементов памяти на основе ячеек DICE для сбоеустойчивых КМОП 28 нм ОЗУ |
|
 |
|
|
| Авторы |
| | Стенин В.Я. |
| | Степанов П.В. |
| Год публикации |
| | 2014 |
| УДК |
| | 621.382+539.1.043 |
|
| Аннотация |
| | Проведены моделирование, проектирование и анализ параметров топологических вариантов базовых элементов памяти с разным взаимным расположением двух групп транзисторов КМОП 28 нм ячеек памяти DICE с целью повышения устойчивости к воздействиям одиночных ядерных частиц. Увеличены расстояния между чувствительными парами транзисторов базовых элементов памяти, что снижает чувствительность ячеек памяти DICE к сбою состояний из-за разделения между транзисторами заряда с трека частицы. |
| Ключевые слова |
| | ячейка памяти, ОЗУ, моделирование, одиночная ядерная частица, разделение заряда, топология. |
| Ссылка на статью |
| | Стенин В.Я., Степанов П.В. Проектирование базовых элементов памяти на основе ячеек DICE для сбоеустойчивых КМОП 28 нм ОЗУ // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем - 2014. Сборник трудов / под общ. ред. академика РАН А.Л. Стемпковского. М.: ИППМ РАН, 2014. Часть 3. С. 163-166. |
| Адрес статьи |
| | http://www.mes-conference.ru/data/year2014/pdf/D014.pdf |
