| Автономные параметры транзисторов базового матричного кристалла АБМК_1_3 в условиях радиационных и температурных воздействий |
|
 |
|
|
| Авторы |
| | Прокопенко Н.Н. |
| | Будяков П.С. |
| | Серебряков А.И. |
| Год публикации |
| | 2012 |
| УДК |
| | 621.382 |
|
| Аннотация |
| | Исследуются режимная, радиационная и температурная зависимость автономных параметров транзисторов базового матричного кристалла АБМК_1_3. Приводятся аппроксимирующие функции, позволяющие количественно оценить влияние внешних воздействий на нулевой уровень и его дрейф аналоговых микросхем. Показаны направления практического использования моделей транзисторов при синтезе прецизионных дифференциальных каскадов. |
| Ключевые слова |
| | аналоговые микросхемы, теория автономного многополюсника, радиационное и температурное воздей-ствия, модели транзисторов, прецизионные дифференциальные усилители |
| Ссылка на статью |
| | Прокопенко Н.Н., Будяков П.С., Серебряков А.И. Автономные параметры транзисторов базового матричного кристалла АБМК_1_3 в условиях радиационных и температурных воздействий // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем - 2012. Сборник трудов / под общ. ред. академика РАН А.Л. Стемпковского. М.: ИППМ РАН, 2012. С. 294-297. |
| Адрес статьи |
| | http://www.mes-conference.ru/data/year2012/pdf/D72.pdf |
