| Оценка конструктивно-технологических возможностей повышения радиационной стойкости глубоко-субмикронных СБИС |
|
 |
|
|
| Авторы |
| | Селецкий А.В. |
| | Шелепин Н.А. |
| Год публикации |
| | 2012 |
| УДК |
| | 621.382.32 |
|
| Аннотация |
| | В статье представлена методика создания радиационно-стойких глубоко-субмикронных СБИС на основе незначительной модификации технологического маршрута их изготовления. Основой предложенной методики является создание узкой области концентрации Р-типа вдоль боковой и донной поверхности изоляции активных областей. Технологические режимы формирования данных областей и электрические характеристики приборов получены при помощи приборно-технологического моделирования. |
| Ключевые слова |
| | КМОП-транзистор, космическое излучение, накопленная доза ионизирующего излучения, радиационная стойкость. |
| Ссылка на статью |
| | Селецкий А.В., Шелепин Н.А. Оценка конструктивно-технологических возможностей повышения радиационной стойкости глубоко-субмикронных СБИС // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем - 2012. Сборник трудов / под общ. ред. академика РАН А.Л. Стемпковского. М.: ИППМ РАН, 2012. С. 588-593. |
| Адрес статьи |
| | http://www.mes-conference.ru/data/year2012/pdf/D63.pdf |
