Главная         Авторы   Статьи   Год проведения   Тематика   Организации        Конференция МЭС

Статистический подход к описанию множественных сбоев в цифровых схемах памяти высокой степени интеграции  

Авторы
 Зебрев Г.И.
 Горбунов М.С.
 Усейнов Р.Г.
 Озеров А.
 Емельянов В.В.
 Анашин В.С.
 Козюков А.
 Земцов К.
 Шередеко Г.
Год публикации
 2014
УДК
 621.382

Аннотация
 Проблема множественных сбоев от одиночных частиц в цифровых схемах памяти высокой интеграции обсуждается с использованием новых концепций примитивной ячейки, парциальных сечений сбоев и статистического распределения сбоев по кратности. Показано, что зависимость среднего сечения множественных сбоев от линейной передачи энергии во многих современных схемах памяти с технологической нормой менее 100 нм имеет вид, близкий к линейному
Ключевые слова
 одиночные эффекты, множественные сбои, кратность сбоя, ячейка памяти, ТЗЧ, сечение сбоя, ЛПЭ, цифровая память
Ссылка на статью
 Зебрев Г.И., Горбунов М.С., Усейнов Р.Г., Озеров А., Емельянов В.В., Анашин В.С., Козюков А., Земцов К., Шередеко Г. Статистический подход к описанию множественных сбоев в цифровых схемах памяти высокой степени интеграции // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем - 2014. Сборник трудов / под общ. ред. академика РАН А.Л. Стемпковского. М.: ИППМ РАН, 2014. Часть 3. С. 167-170.
Адрес статьи
 http://www.mes-conference.ru/data/year2014/pdf/D088.pdf

Copyright © 2009-2023 ИППМ РАН. All Rights Reserved.

Разработка сайта - ИППМ РАН