Главная         Авторы   Статьи   Год проведения   Тематика   Организации        Конференция МЭС

Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники

---

Листинг всех работ организации. Нажмите на название работы для того, чтобы получить по ней полную информацию.

2006
		Алиева Н.В., Белоус А.И., Малышев В.С., Сорока С.А., Усов Г.И., Шведов С.В., Бондаренко В.П., Долгий Л.Н., Лабунов В.А., Мудрый А.В. Исследование БИС СОЗУ 8К на основе КНИ структур
2008
		Долгий Л.Н., Ефремов В.А., Нелаев В.В., Стемпицкий В.Р. Исследование и оптимизация технологических параметров формирования логической ячейки на структуре "кремний на изоляторе"
		Комаров Ф.Ф., Величко О.И., Заяц Г.М., Комаров А.Ф., Миронов А.М., Цурко В.А. Моделирование процессов равновесной и быстрой термообработок при формировании активных областей субмикронных и нанометровых ИС
		Костров А.И., Стемпицкий В.Р., Данилюк А.Л., Борисенко В.Е. Модель магнитного туннельного перехода для систем схемотехнического проектирования
		Белоус А.И., Красиков М.Г., Кулешов А.А., Нелаев В.В., Стемпицкий В.Р., Сякерский В.С. Сквозное статистическое проектирование технологии/прибора/схемы/системы
2010
		Костров А.И., Данилюк А.Л., Стемпицкий В.Р., Борисенко В.Е. Динамическая модель ячейки памяти на эффекте туннельного магнитосопротивления
		Малышев В.С., Павлов П.Г., Стемпицкий В.Р. Предварительная обработка экспериментальных данных в статистическом проектировании изделий микроэлектроники
		Нелаев В.В., Красиков М.Г., Божаткин О.А., Кунцевич В.В., Сякерский В.С. Экстракция параметров масштабируемой модели МОП-транзистора
2012
		Ловшенко И.Ю., Нелаев В.В., Шелибак И.М., Турцевич А.С. Оптимизация напряжения пробоя в IGBT структуре по ее конструктивным и технологическим параметрам
2020
		Дворников О.В., Чеховский В.А., Прокопенко Н.Н., Галкин Я.Д., Кунц А.В. Учет одновременного воздействия низких температур и проникающей радиации на характеристики биполярных и JFET транзисторов при схемотехническом моделировании
2021
		Дворников О.В., Павлючик А.А., Прокопенко Н.Н., Чеховский В.А., Кунц А.В., Чумаков В.Е. Арсенид-галлиевый аналоговый базовый кристалл
		Дворников О.В., Чеховский В.А., Прокопенко Н.Н., Галкин Я.Д., Кунц А.В., Чумаков В.Е. Проектирование аналоговых микросхем для экстремальных условий эксплуатации на основе базового матричного кристалла МН2ХА031
2022
		Ловшенко И.Ю., Кратович П.С., Стемпицкий В.Р., Дворников О.В., Кунц А.В., Павлючик А.А. Гетеропереходный биполярный транзистор со структурой pnp-типа в арсенид-галлиевой технологии HBT-HEMT
		Лыгач А.Н., Давыденко И.Н. Динамические и флуктуационные ошибки одномерного фильтра Калмана
		Гревцов Н.Л., Лопато У.П., Чубенко Е.Б., Бондаренко В.П., Гаврилин И.М., Дронов А.А., Гаврилов С.А. Формирование слоев пористого кремния для создания гетероэпитаксиальных и композитных структур