Главная         Авторы   Статьи   Год проведения   Тематика   Организации        Конференция МЭС

Арсенид-галлиевый аналоговый базовый кристалл  

Авторы
 Дворников О.В.
 Павлючик А.А.
 Прокопенко Н.Н.
 Чеховский В.А.
 Кунц А.В.
 Чумаков В.Е.
Год публикации
 2021
DOI
 10.31114/2078-7707-2021-2-47-54
УДК
 621.382.323

Аннотация
 Представлен арсенид-галлиевый базовый кристалл, предназначенный для создания аналоговых микросхем, работающих в экстремальных условиях эксплуатации. Рассмотрены особенности вольтамперных характеристик применяемых в базовом кристалле DpHEMT и p-n-p-транзисторов с гетеропереходом. Приведены электрические схемы и основные результаты моделирования аналоговых устройств, реализуемых на базовом кристалле: трех типов операционных усилителей и зарядочувствительного усилителя
Ключевые слова
 биполярный транзистор с гетеропереходом, транзистор с высокой подвижностью электронов, арсенид галлия, операционный усилитель, зарядочувствительный усилитель.
Ссылка на статью
 Дворников О.В., Павлючик А.А., Прокопенко Н.Н., Чеховский В.А., Кунц А.В., Чумаков В.Е. Арсенид-галлиевый аналоговый базовый кристалл // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем (МЭС). 2021. Выпуск 2. С. 47-54. doi:10.31114/2078-7707-2021-2-47-54
Адрес статьи
 http://www.mes-conference.ru/data/year2021/pdf/D021.pdf

Copyright © 2009-2024 ИППМ РАН. All Rights Reserved.

Разработка сайта - ИППМ РАН