| Проектирование аналоговых микросхем для экстремальных условий эксплуатации на основе базового матричного кристалла МН2ХА031 |
|
 |
|
|
| Авторы |
| | Дворников О.В. |
| | Чеховский В.А. |
| | Прокопенко Н.Н. |
| | Галкин Я.Д. |
| | Кунц А.В. |
| | Чумаков В.Е. |
| Год публикации |
| | 2021 |
| DOI |
| | 10.31114/2078-7707-2021-2-37-46 |
| УДК |
| | 621.3.049.774.3 |
|
| Аннотация |
| | Рассмотрен комплекс конструктивно-схемотехнических решений, позволяющих создавать аналоговые микросхемы, сохраняющие свою работоспособность при воздействии проникающей радиации и низкой температуры: биполярно-полевой базовый матричный кристалл МН2ХА031 и его элементы – двухзатворный JFET, высокоомный полупроводниковый резистор для работы при температуре менее минус 100 0С, а также схемы на основе МН2ХА031 - операционный усилитель со встроенной обратной связью по синфазному сигналу, мультидифференциальный операционный усилитель с входными JFET, зарядочувствительный усилитель с входным двухзатворным JFET. Для интегральных элементов приведены результаты экспериментальных измерений вольтамперных характеристик и рассмотрены особенности Spice-моделей. Описаны электрические схемы микроэлектронных аналоговых устройств и проанализированы результаты их схемотехнического моделирования. |
| Ключевые слова |
| | полевой транзистор, управляемый p-n-переходом; двухзатворный транзистор; электрометрический усилитель; компенсация входного тока; зарядочувствительный усилитель. |
| Ссылка на статью |
| | Дворников О.В., Чеховский В.А., Прокопенко Н.Н., Галкин Я.Д., Кунц А.В., Чумаков В.Е. Проектирование аналоговых микросхем для экстремальных условий эксплуатации на основе базового матричного кристалла МН2ХА031 // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем (МЭС). 2021. Выпуск 2. С. 37-46. doi:10.31114/2078-7707-2021-2-37-46 |
| Адрес статьи |
| | http://www.mes-conference.ru/data/year2021/pdf/D020.pdf |
