| Модель магнитного туннельного перехода для систем схемотехнического проектирования |
|
|
| Авторы |
| | Костров А.И. |
| | Стемпицкий В.Р. |
| | Данилюк А.Л. |
| | Борисенко В.Е. |
| Год публикации |
| | 2008 |
| УДК |
| | 621.377.6.037 |
|
| Аннотация |
| | Разработана макромодель магнитного
туннельного перехода (МТП) на языке смешанного поведенческого проектирования Verilog-AMS, которая является основой для схемотехнического моделирования ячейки памяти на эффекте туннельного магнитосопротивления (MRAM). Приведены результаты тестирования модели в системе сквозного проектирования Cadence Design Environment с использованием программы Spectre 5.1.41. |
| Ключевые слова |
| | Магниторезистивная память, спинтроника, магнитный туннельный переход, электрическая модель, эквивалентная схема, Verilog-AMS |
| Ссылка на статью |
| | Костров А.И., Стемпицкий В.Р., Данилюк А.Л., Борисенко В.Е. Модель магнитного туннельного перехода для систем схемотехнического проектирования // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем - 2008. Сборник научных трудов / под общ. ред. А.Л.Стемпковского. М.:ИППМ РАН, 2008. С. 77-80. |
| Адрес статьи |
| | http://www.mes-conference.ru/data/year2008/10.pdf |
