Главная         Авторы   Статьи   Год проведения   Тематика   Организации        Конференция МЭС

Дворников О.В.

ОАО "МНИПИ"
МНТЦ "МикАн"

Листинг всех работ автора. Нажмите на название работы для того, чтобы получить по ней полную информацию.

2006 
  Дворников О.В., Чеховский В.А., Крутчинский С.Г., Щёкин Д.А., Щербинин И.П., Прокопенко Н.Н., Старченко Е.И.
Импортозамещающие практические разработки и проекты ИС на базе радиационностойкого АБМК
2010 
  Дворников О.В., Чеховский В.А.
Особенности радиационных испытаний аналоговых микросхем
  Дворников О.В., Гришков В.Н.
Учет влияния проникающей радиации в "Spice-подобных" программах
  Дворников О.В.
Комплексный подход к проектированию радиационно-стойких аналоговых микросхем. Часть 2. Базовые схемотехнические решения АБМК 1-3
2012 
  Титов А.Е., Дворников О.В.
Радиационно-стойкие инструментальные усилители на АБМК
  Дворников О.В., Чеховский В.А., Дятлов В.Л., Богатырев Ю.В., Ластовский С.Б.
Радиационно-стойкие аналоговые интегральные схемы
2016 
  Дворников О.В., Прокопенко Н.Н., Бугакова А.В., Игнашин А.А.
Инструментальные и мультидифференциальные усилители датчиковых систем на основе новой микросхемы базового структурного кристалла MH2XA010
2018 
  Дворников О.В., Чеховский В.А., Дятлов В.Л., Прокопенко Н.Н., Будяков П.С.
Проектирование компараторов напряжений на базе элементов радиационно-стойкого низкотемпературного BiJFET базового матричного кристалла МН2ХА030
2020 
  Дворников О.В., Чеховский В.А., Прокопенко Н.Н., Галкин Я.Д., Кунц А.В.
Учет одновременного воздействия низких температур и проникающей радиации на характеристики биполярных и JFET транзисторов при схемотехническом моделировании
2021 
  Дворников О.В., Чеховский В.А., Прокопенко Н.Н., Галкин Я.Д., Кунц А.В., Чумаков В.Е.
Проектирование аналоговых микросхем для экстремальных условий эксплуатации на основе базового матричного кристалла МН2ХА031
  Дворников О.В., Павлючик А.А., Прокопенко Н.Н., Чеховский В.А., Кунц А.В., Чумаков В.Е.
Арсенид-галлиевый аналоговый базовый кристалл
2022 
  Прокопенко Н.Н., Дворников О.В., Чумаков В.Е., Клейменкин Д.В.
Арсенид-галлиевые операционные усилители с умножителями крутизны входных дифференциальных каскадов
  Ловшенко И.Ю., Кратович П.С., Стемпицкий В.Р., Дворников О.В., Кунц А.В., Павлючик А.А.
Гетеропереходный биполярный транзистор со структурой pnp-типа в арсенид-галлиевой технологии HBT-HEMT
 

Copyright © 2009-2024 ИППМ РАН. All Rights Reserved.

Разработка сайта - ИППМ РАН