| Арсенид-галлиевые операционные усилители с умножителями крутизны входных дифференциальных каскадов |
|
 |
|
|
| Авторы |
| | Прокопенко Н.Н. |
| | Дворников О.В. |
| | Чумаков В.Е. |
| | Клейменкин Д.В. |
| Год публикации |
| | 2022 |
| DOI |
| | 10.31114/2078-7707-2022-3-163-169 |
| УДК |
| | 621.372.543.2 |
|
| Аннотация |
| | Рассматриваются базовые схемотехнические решения операционных усилителей (ОУ), ориентированные на изготовление на одном GaAs кристалле полевых транзисторов (field effect transistor, FET) со встроенным каналом n-типа и p-n-p транзисторов. Предлагается перспективная архитектура трехкаскадного ОУ на основе pHEMT (pseudo morphic high electron mobility transistor) и p-n-p HBT (hetero junction bipolar transistor), в которой реализуются малые значения систематической составляющей напряжения смещения нуля, обусловленной влиянием токов базы p-n-p транзисторов и его температурными и радиационными изменениями. Исследуется три варианта построения входных каскадов, в которых предусмотрено увеличение на 1-2 порядка крутизны усиления при работе pHEMT в микроамперных диапазонах токов (10-100 мкА). |
| Ключевые слова |
| | операционный усилитель, GaAs pHEMT, GaAs p-n-p HBT, напряжение смещения нуля, крутизна усиления дифференциального каскада. |
| Ссылка на статью |
| | Прокопенко Н.Н., Дворников О.В., Чумаков В.Е., Клейменкин Д.В. Арсенид-галлиевые операционные усилители с умножителями крутизны входных дифференциальных каскадов // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем (МЭС). 2022. Выпуск 3. С. 163-169. doi:10.31114/2078-7707-2022-3-163-169 |
| Адрес статьи |
| | http://www.mes-conference.ru/data/year2022/pdf/D036.pdf |
