Главная
Авторы Статьи Год проведения Тематика Организации Конференция МЭС
Листинг всех работ автора. Нажмите на название работы для того, чтобы получить по ней полную информацию.
| 2006 | |
| |  |
Дворников О.В., Чеховский В.А., Крутчинский С.Г., Щёкин Д.А., Щербинин И.П., Прокопенко Н.Н., Старченко Е.И.
Импортозамещающие практические разработки и проекты ИС на базе радиационностойкого АБМК
|
| 2010 | |
| | |
Дворников О.В., Чеховский В.А.
Особенности радиационных испытаний аналоговых микросхем
|
| | |
Дворников О.В., Гришков В.Н.
Учет влияния проникающей радиации в "Spice-подобных" программах
|
| | |
Дворников О.В.
Комплексный подход к проектированию радиационно-стойких аналоговых микросхем. Часть 2. Базовые схемотехнические решения АБМК 1-3
|
| 2012 | |
| | |
Титов А.Е., Дворников О.В.
Радиационно-стойкие инструментальные усилители на АБМК
|
| | |
Дворников О.В., Чеховский В.А., Дятлов В.Л., Богатырев Ю.В., Ластовский С.Б.
Радиационно-стойкие аналоговые интегральные схемы
|
| 2016 | |
| | |
Дворников О.В., Прокопенко Н.Н., Бугакова А.В., Игнашин А.А.
Инструментальные и мультидифференциальные усилители датчиковых систем на основе новой микросхемы базового структурного кристалла MH2XA010
|
| 2018 | |
| | |
Дворников О.В., Чеховский В.А., Дятлов В.Л., Прокопенко Н.Н., Будяков П.С.
Проектирование компараторов напряжений на базе элементов радиационно-стойкого низкотемпературного BiJFET базового матричного кристалла МН2ХА030
|
| 2020 | |
| | |
Дворников О.В., Чеховский В.А., Прокопенко Н.Н., Галкин Я.Д., Кунц А.В.
Учет одновременного воздействия низких температур и проникающей радиации на характеристики биполярных и JFET транзисторов при схемотехническом моделировании
|
| 2021 | |
| | |
Дворников О.В., Чеховский В.А., Прокопенко Н.Н., Галкин Я.Д., Кунц А.В., Чумаков В.Е.
Проектирование аналоговых микросхем для экстремальных условий эксплуатации на основе базового матричного кристалла МН2ХА031
|
| | |
Дворников О.В., Павлючик А.А., Прокопенко Н.Н., Чеховский В.А., Кунц А.В., Чумаков В.Е.
Арсенид-галлиевый аналоговый базовый кристалл
|
| 2022 | |
| | |
Прокопенко Н.Н., Дворников О.В., Чумаков В.Е., Клейменкин Д.В.
Арсенид-галлиевые операционные усилители с умножителями крутизны входных дифференциальных каскадов
|
| | |
Ловшенко И.Ю., Кратович П.С., Стемпицкий В.Р., Дворников О.В., Кунц А.В., Павлючик А.А.
Гетеропереходный биполярный транзистор со структурой pnp-типа в арсенид-галлиевой технологии HBT-HEMT
|
| |
|
|
