Главная         Авторы   Статьи   Год проведения   Тематика   Организации        Конференция МЭС

Белорусский государственный университет

Листинг всех работ организации. Нажмите на название работы для того, чтобы получить по ней полную информацию.

2006 
  Дворников О.В., Чеховский В.А., Крутчинский С.Г., Щёкин Д.А., Щербинин И.П., Прокопенко Н.Н., Старченко Е.И.
Импортозамещающие практические разработки и проекты ИС на базе радиационностойкого АБМК
  Золоторевич Л.А.
Исследование методов и средств верификации проектов и генерации тестов МЭС
2010 
  Дворников О.В., Чеховский В.А.
Особенности радиационных испытаний аналоговых микросхем
2012 
  Авдеев Н.А., Зайцев В.С.
Выбор частоты внутреннего генератора UHF RFID метки
  Дворников О.В., Чеховский В.А., Дятлов В.Л., Богатырев Ю.В., Ластовский С.Б.
Радиационно-стойкие аналоговые интегральные схемы
2014 
  Зайцев В.С.
Аппаратное ускорение цифрового моделирования
2018 
  Дворников О.В., Чеховский В.А., Дятлов В.Л., Прокопенко Н.Н., Будяков П.С.
Проектирование компараторов напряжений на базе элементов радиационно-стойкого низкотемпературного BiJFET базового матричного кристалла МН2ХА030
2020 
  Дворников О.В., Чеховский В.А., Прокопенко Н.Н., Галкин Я.Д., Кунц А.В.
Учет одновременного воздействия низких температур и проникающей радиации на характеристики биполярных и JFET транзисторов при схемотехническом моделировании
2021 
  Дворников О.В., Павлючик А.А., Прокопенко Н.Н., Чеховский В.А., Кунц А.В., Чумаков В.Е.
Арсенид-галлиевый аналоговый базовый кристалл
  Дворников О.В., Чеховский В.А., Прокопенко Н.Н., Галкин Я.Д., Кунц А.В., Чумаков В.Е.
Проектирование аналоговых микросхем для экстремальных условий эксплуатации на основе базового матричного кристалла МН2ХА031
2022 
  Ловшенко И.Ю., Кратович П.С., Стемпицкий В.Р., Дворников О.В., Кунц А.В., Павлючик А.А.
Гетеропереходный биполярный транзистор со структурой pnp-типа в арсенид-галлиевой технологии HBT-HEMT
 

Copyright © 2009-2024 ИППМ РАН. All Rights Reserved.

Разработка сайта - ИППМ РАН