Главная
Авторы Статьи Год проведения Тематика Организации Конференция МЭС
МИЭМ НИУ ВШЭ
Листинг всех работ организации. Нажмите на название работы для того, чтобы получить по ней полную информацию.
2005 | |
| |
Петросянц К.О., Рябов Н.И., Казаков В.И., Макеев В.В., Русаков Д.Н., Чиркин Г.К. Моделирование транзисторных структур силовой электроники
|
| |
Черный А.И., Богатырев В.Н., Поварницына З.М., Петросянц К.О., Харитонов И.А., Карелин А.А. Проектирование и разработка ОУ на основе КМОП КНИ технологии
|
2006 | |
| |
Петросянц К.О., Ширабайкин Д.Б. Математическое моделирование электромиграционных отказов межуровневых соединений БИС
|
| |
Петросянц К.О., Козынко П.А. Совершенствование подсистемы теплового моделирования печатных плат в САПР Mentor Graphics
|
| |
Петросянц К.О., Торговников Р.А. Сравнительный анализ схемотехнических моделей SiGe гетеробиполярного транзистора
|
2008 | |
| |
Петросянц К.О., Торговников Р.А. Особенности моделирования SiGe:C гетеропереходного биполярного транзистора
|
| |
Харитонов И.А., Петросянц К.О., Орехов Е.В., Ятманов А.П., Самбурский Л.М. Приборно-технологическое моделирование элементной базы КМОП КНИ БИС с учётом факторов радиационного воздействия
|
| |
Петросянц К.О., Рябов Н.И., Харитонов И.А., Козынко П.А. Реализация процесса электротеплового моделирования в САПР БИС Mentor Graphics
|
| |
Петросянц К.О. Тепловое моделирование компонентов МЭС: от субмикронных элементов СБИС до сложных электронных блоков
|
2010 | |
| |
Петросянц К.О., Рябов Н.И. Моделирование датчиков температуры мощных интеллектуальных ИС
|
2012 | |
| |
Петросянц К.О., Харитонов И.А., Орехов Е.В., Самбурский Л.М., Ятманов А.П., Воеводин А.В. Исследование стойкости к воздействию отдельных ядерных частиц ячеек КНИ КМОП ОЗУ методами смешанного 3D TCAD-SPICE моделирования
|
| |
Грязнов Е.Г., Мансуров А.Н., Петросянц К.О. Конструкции ячеек радиационно-стойких энергонезависимых ОЗУ, интегрированных в КМОП КНИ процесс
|
| |
Петросянц К.О., Харитонов И.А., Адонин А.С., Сидоров А.В., Александров А.В. Создание IBIS моделей цифровых микросхем с учетом воздействия внешних факторов
|
2016 | |
| |
Петросянц К.О., Кожухов М.В. TCAD моделирование характеристик кремниевых и кремний-германиевых биполярных транзисторов с учетом радиационных эффектов
|
2018 | |
| |
Петросянц К.О., Исмаил-заде М.Р., Самбурский Л.М., Харитонов И.А. SPICE-модели полевых транзисторов со структурой MOSFET и JFET для расширенного диапазона температуры до –200°C
|
2020 | |
| |
Петросянц К.О., Харитонов И.А. Улучшенная процедура электро-теплового моделирование силовых ДМОП каскадов ИС
|
| |
Петросянц К.О., Попов Д.А., Исмаил-заде М.Р., Самбурский Л.М., Ли Б., Ючонг В. TCAD и SPICE-модели для описания радиационных эффектов в наноразмерных МОП-транзисторных структурах
|
2021 | |
| |
Петросянц К.О., Силкин Д.С., Попов Д.А. Сравнение тепловых характеристик MOSFET и FinFET
|
| |
Кожухов М.В., Мухаметдинова А.Р. SPICE-модель для учета влияния эффекта горячих носителей в биполярных транзисторах
|
|
|
|