Главная         Авторы   Статьи   Год проведения   Тематика   Организации        Конференция МЭС

SPICE-модель для учета влияния эффекта горячих носителей в биполярных транзисторах  

Авторы
 Кожухов М.В.
 Мухаметдинова А.Р.
Год публикации
 2021
DOI
 10.31114/2078-7707-2021-4-81-85
УДК
 004.942: 621.382.33

Аннотация
 В статье представлена SPICE-модель кремний-германиевого (SiGe) гетеропереходного биполярного транзистора (ГБТ), позволяющая проводить схемотехническое моделирование устройств с учетом влияния горячих носителей заряда на их электрические характеристики. Представленная SPICE модель SiGe ГБТ разработана с использованием макромодельного подхода. Ядро представленной макромодели является стандартная SPICE-модель биполярного транзистора (GP, VBIC, HICUM, MEXTRAM), к которой подключены дополнительные элементы, учитывающие влияния эффектов старения при различных режимах работы транзистора. В работе представлены результаты сравнения измеренных данных и результатов моделирования. Расхождение экспериментальных данных и результатов моделирования составляет не более 5–10% для статических характеристик SiGe ГБТ. Кроме того, разработана и представлена методика экстракции дополнительных параметров SPICE-макромодели, описывающих влияние горячих носителей заряда.
Ключевые слова
 SPICE-модели, схемотехническое моделирование, гетеропереходные биполярные транзисторы, старение, горячие носители заряда.
Ссылка на статью
 Кожухов М.В., Мухаметдинова А.Р. SPICE-модель для учета влияния эффекта горячих носителей в биполярных транзисторах // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем (МЭС). 2021. Выпуск 4. С. 81-85. doi:10.31114/2078-7707-2021-4-81-85
Адрес статьи
 http://www.mes-conference.ru/data/year2021/pdf/D079.pdf

Copyright © 2009-2024 ИППМ РАН. All Rights Reserved.

Разработка сайта - ИППМ РАН