| Сравнительный анализ схемотехнических моделей SiGe гетеробиполярного транзистора |
|
|
| Авторы |
| | Петросянц К.О. |
| | Торговников Р.А. |
| Год публикации |
| | 2006 |
| УДК |
| | 621.38 |
|
| Аннотация |
| | В статье дан обзор современных моделей биполярного транзистора и проведен анализ этих моделей с целью выбора оптимальной для моделирования SiGe ГБТ и расчета сверхбыстродействующих схем на их основе. |
| Ключевые слова |
| | схемотехнические модели SiGe гетеробиполярного транзистора |
| Ссылка на статью |
| | Петросянц К.О., Торговников Р.А. Сравнительный анализ схемотехнических моделей SiGe гетеробиполярного транзистора // Проблемы разработки перспективных микроэлектронных систем - 2006. Сборник научных трудов / под общ. ред. А.Л.Стемпковского. М.:ИППМ РАН, 2006. С. 184-190. |
| Адрес статьи |
| | http://www.mes-conference.ru/data/year2006/33.pdf |
