Главная         Авторы   Статьи   Год проведения   Тематика   Организации        Конференция МЭС

Петросянц К.О.

МИЭМ НИУ ВШЭ

Листинг всех работ автора. Нажмите на название работы для того, чтобы получить по ней полную информацию.

2005 
  Петросянц К.О., Рябов Н.И., Казаков В.И., Макеев В.В., Русаков Д.Н., Чиркин Г.К.
Моделирование транзисторных структур силовой электроники
  Черный А.И., Богатырев В.Н., Поварницына З.М., Петросянц К.О., Харитонов И.А., Карелин А.А.
Проектирование и разработка ОУ на основе КМОП КНИ технологии
2006 
  Петросянц К.О., Козынко П.А.
Совершенствование подсистемы теплового моделирования печатных плат в САПР Mentor Graphics
  Петросянц К.О., Ширабайкин Д.Б.
Математическое моделирование электромиграционных отказов межуровневых соединений БИС
  Петросянц К.О., Торговников Р.А.
Сравнительный анализ схемотехнических моделей SiGe гетеробиполярного транзистора
2008 
  Харитонов И.А., Петросянц К.О., Орехов Е.В., Ятманов А.П., Самбурский Л.М.
Приборно-технологическое моделирование элементной базы КМОП КНИ БИС с учётом факторов радиационного воздействия
  Петросянц К.О., Торговников Р.А.
Особенности моделирования SiGe:C гетеропереходного биполярного транзистора
  Петросянц К.О.
Тепловое моделирование компонентов МЭС: от субмикронных элементов СБИС до сложных электронных блоков
  Петросянц К.О., Рябов Н.И., Харитонов И.А., Козынко П.А.
Реализация процесса электротеплового моделирования в САПР БИС Mentor Graphics
2010 
  Петросянц К.О., Рябов Н.И.
Моделирование датчиков температуры мощных интеллектуальных ИС
2012 
  Петросянц К.О., Харитонов И.А., Орехов Е.В., Самбурский Л.М., Ятманов А.П., Воеводин А.В.
Исследование стойкости к воздействию отдельных ядерных частиц ячеек КНИ КМОП ОЗУ методами смешанного 3D TCAD-SPICE моделирования
  Петросянц К.О., Харитонов И.А., Адонин А.С., Сидоров А.В., Александров А.В.
Создание IBIS моделей цифровых микросхем с учетом воздействия внешних факторов
  Грязнов Е.Г., Мансуров А.Н., Петросянц К.О.
Конструкции ячеек радиационно-стойких энергонезависимых ОЗУ, интегрированных в КМОП КНИ процесс
2016 
  Петросянц К.О., Кожухов М.В.
TCAD моделирование характеристик кремниевых и кремний-германиевых биполярных транзисторов с учетом радиационных эффектов
2018 
  Петросянц К.О., Исмаил-заде М.Р., Самбурский Л.М., Харитонов И.А.
SPICE-модели полевых транзисторов со структурой MOSFET и JFET для расширенного диапазона температуры до –200°C
2020 
  Петросянц К.О., Харитонов И.А.
Улучшенная процедура электро-теплового моделирование силовых ДМОП каскадов ИС
  Петросянц К.О., Попов Д.А., Исмаил-заде М.Р., Самбурский Л.М., Ли Б., Ючонг В.
TCAD и SPICE-модели для описания радиационных эффектов в наноразмерных МОП-транзисторных структурах
2021 
  Петросянц К.О., Силкин Д.С., Попов Д.А.
Сравнение тепловых характеристик MOSFET и FinFET
 

Copyright © 2009-2024 ИППМ РАН. All Rights Reserved.

Разработка сайта - ИППМ РАН