Главная         Авторы   Статьи   Год проведения   Тематика   Организации        Конференция МЭС

Модификация высокоуровневой модели NoCModel 2.0 для моделирования сетей на кристалле с циркулянтными топологиями  

Авторы
 Прилепко П.М.
 Романов А.Ю.
 Лежнев Е.В.
Год публикации
 2020
DOI
 10.31114/2078-7707-2020-4-23-30
УДК
 004.722

Аннотация
 Процесс проектирования подсистемы связи сетей на кристалле (СтнК) в общем виде состоит в определении шести базовых характеристик сети: топологии (организация связи между элементами СтнК); маршрутизации (определение путей перемещения данных в сети); переключения (способ передачи данных в сети); управления потоком (выделение каналов передачи данных в сети); буферизации (способ промежуточного хранения пакетов); арбитража (планирование использования каналов и буферов). Эти шесть основных характеристик, помимо других менее важных, создают большое архитектурное пространство, которое определяет огромное количество вариантов организации СтнК. В данном исследовании была предложена и выполнена модификация высокоуровневой модели СтнК NoCModel 2.0 для обеспечения проведения моделирования циркулянтных топологий, были проведены эксперименты, в результате чего показаны корректность и полезность такой модели для различных применений.
Ключевые слова
 сеть на кристалле, топология сети на кристалле, высокоуровневое моделирование, маршрутизация.
Ссылка на статью
 Прилепко П.М., Романов А.Ю., Лежнев Е.В. Модификация высокоуровневой модели NoCModel 2.0 для моделирования сетей на кристалле с циркулянтными топологиями // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем (МЭС). 2020. Выпуск 4. С. 23-30. doi:10.31114/2078-7707-2020-4-23-30
Адрес статьи
 http://www.mes-conference.ru/data/year2020/pdf/D023.pdf

Copyright © 2009-2024 ИППМ РАН. All Rights Reserved.

Разработка сайта - ИППМ РАН