Главная         Авторы   Статьи   Год проведения   Тематика   Организации        Конференция МЭС

Моделирование высоковольтного кремниевого диода, построение зависимостей его плотности тока от температуры
Авторы
	Лагунович Н.Л.
Год публикации
	2020
DOI
	10.31114/2078-7707-2020-2-22-28
УДК
	621.382.2.027.3:546.28:537.222.22(045)
Аннотация
	Целью данной работы были разработка технологического маршрута изготовления и одномерной модели высоковольтного кремниевого диода с пробивным напряжением в диапазоне от 120 В до 150 В. Выполнены технологического моделирование прибора с помощью программы TSuprem4 программного комплекса фирмы Synopsys и его приборное моделирование с помощью разработанной автором программы MOD-1D. Построена зависимость плотности тока диода от прямого напряжения смещения, прикладываемого к структуре исследуемого прибора. С помощью MOD-1D рассчитаны и построены температурные зависимости плотности тока диода для различных уровней инжекции в диапазоне температур от 0 °С до 165 °С. Установлено, что с повышением температуры p-n-перехода при низких уровнях инжекции наблюдается более заметный рост плотности тока исследуемого прибора, чем при высоких уровнях инжекции. Таким образом, при малых напряжениях смещения, прикладываемых к p-n-переходу диода, он более чувствителен к перепаду температур, чем в случае более высоких прямых напряжений, прикладываемых к его структуре. По разработанному автором технологическому маршруту были изготовлены экспериментальные образцы исследуемого прибора типа 2Д695 в условиях производства ОАО «ИНТЕГРАЛ»-управляющая компания холдинга «ИНТЕГРАЛ».
Ключевые слова
	диод, прямое падение напряжения, технологическое моделирование, приборное моделирование, вольт-амперная характеристика, температурная зависимость, уровень инжекции.
Ссылка на статью
	Лагунович Н.Л. Моделирование высоковольтного кремниевого диода, построение зависимостей его плотности тока от температуры // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем (МЭС). 2020. Выпуск 2. С. 22-28. doi:10.31114/2078-7707-2020-2-22-28
Адрес статьи
	http://www.mes-conference.ru/data/year2020/pdf/D065.pdf