| Проектирование топологии сбоеустойчивых ячеек статической памяти высокой плотности |
|
 |
|
|
| Авторы |
| | Балбеков А.О. |
| | Горбунов М.С. |
| | Галимов А.М. |
| Год публикации |
| | 2020 |
| DOI |
| | 10.31114/2078-7707-2020-2-132-139 |
| УДК |
| | 004.052.2 |
|
| Аннотация |
| | Для защиты космической электроники от воздействия тяжелых заряженных частиц применяется ряд архитектурных и схемотехнических мер: резервирование, сбоеустойчивые схемы. В интегральных схемах, выполненных по технологии порядка 65 нм, одна частица может сбить несколько копий резервированного сигнала или затронуть несколько чувствительных узлов ячейки DICE. В данной статье представлены рекомендации по разработке топологии интегральных схем, которые позволят минимизировать кратность множественных сбоев при поддержании высокой плотности устройств, тем самым усилив эффективность архитектурных мер защиты. |
| Ключевые слова |
| | ТЗЧ, SET, топология сбоеустойчивых ячеек памяти. |
| Ссылка на статью |
| | Балбеков А.О., Горбунов М.С., Галимов А.М. Проектирование топологии сбоеустойчивых ячеек статической памяти высокой плотности // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем (МЭС). 2020. Выпуск 2. С. 132-139. doi:10.31114/2078-7707-2020-2-132-139 |
| Адрес статьи |
| | http://www.mes-conference.ru/data/year2020/pdf/D026.pdf |
