Главная         Авторы   Статьи   Год проведения   Тематика   Организации        Конференция МЭС

Принципы проектирования отказоустойчивых оперативных запоминающих устройств для космического применения  

Авторы
 Волобуев С.В.
 Евдокимов А.П.
 Рябцев В.Г.
Год публикации
 2020
DOI
 10.31114/2078-7707-2020-2-103-109
УДК
 004.318

Аннотация
 Предлагается архитектура отказоустойчивого оперативного запоминающего устройства, содержащего три канала модулей памяти со встроенными средствами самотестирования и саморемонта. Первый модуль обрабатывает данные устройства управления, второй модуль работает в режиме зеркального отображения данных, третий модуль работает в режиме самотестирования. Если отказал первый модуль памяти, то происходит подключение второго работоспособного модуля памяти. Третий модуль переключается в режим зеркального отображения данных, а первый модуль переходит в режим самотестирования и автоматического саморемонта. Такое взаимодействие модулей памяти каналов многократно повышает надежность систем управления космической техникой.
Ключевые слова
 зеркаливание памяти, многократные отказы, резервирование, средства самотестирования и саморемонта.
Ссылка на статью
 Волобуев С.В., Евдокимов А.П., Рябцев В.Г. Принципы проектирования отказоустойчивых оперативных запоминающих устройств для космического применения // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем (МЭС). 2020. Выпуск 2. С. 103-109. doi:10.31114/2078-7707-2020-2-103-109
Адрес статьи
 http://www.mes-conference.ru/data/year2020/pdf/D003.pdf

Copyright © 2009-2024 ИППМ РАН. All Rights Reserved.

Разработка сайта - ИППМ РАН