Главная         Авторы   Статьи   Год проведения   Тематика   Организации        Конференция МЭС

Ключ миллиметрового диапазона длин волн на основе фотопроводящего элемента для волноводов, встроенных в диэлектрическую подложку (SIW)  

Авторы
 Шепелёва Е.А.
 Макурин М.
 Никишов А.
 Лукьянов А.
 Евтюшкин Г.А.
Год публикации
 2018
DOI
 10.31114/2078-7707-2018-4-63-69
УДК
 621.372.837

Аннотация
 В данной статье описывается метод переключения волноводов миллиметрового диапазона длин волн, встроенных в диэлектрическую подложку (Substrate Integrated Waveguide (SIW). В качестве ключа предложен фотопроводящий элемент, управляемый источником света ИК-диапазона. Преимуществом такого подхода является отсутствие гальванического контакта со схемой управления и питания, которые для существующих ключей миллиметрового диапазона (PIN-диодов, MEMS-элементов, FET-ключей) являются ограничивающим фактором из-за увеличения вносимых потерь, габаритных размеров и сужения рабочей полосы устройства. Предложенный фотопроводящий ключ (ФК) решает данные проблемы, так как система управления электрически разнесена с высокочастотным (ВЧ) трактом, а схема согласования может быть реализована непосредственно в волноводном тракте. Это уменьшает вносимые потери ключа, а сам метод является универсальным вплоть до ТГц частот и ограничивается лишь возможностями изготовления печатных плат.
В статье приводятся расчетные данные и результаты эксперимента для SIW-ключа, работающего на частоте 28ГГц. Достигнутый уровень изоляции составляет >15дБ, вносимые потери <0.5дБ.
Ключевые слова
 Фотопроводящий ключ, СВЧ, КВЧ, встроенный в подложку волновод, SIW.
Ссылка на статью
 Шепелёва Е.А., Макурин М., Никишов А., Лукьянов А., Евтюшкин Г.А. Ключ миллиметрового диапазона длин волн на основе фотопроводящего элемента для волноводов, встроенных в диэлектрическую подложку (SIW) // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем. 2018. Выпуск 4. С. 63-69. doi:10.31114/2078-7707-2018-4-63-69
Адрес статьи
 http://www.mes-conference.ru/data/year2018/pdf/D104.pdf

Copyright © 2009-2024 ИППМ РАН. All Rights Reserved.

Разработка сайта - ИППМ РАН