| Алгоритм декомпозиции на основе метода имитации отжига для реконфигурируемых систем на кристалле |
|
 |
|
|
| Авторы |
| | Гаврилов С.В. |
| | Железников Д.А. |
| | Чочаев Р. |
| | Хватов В.М. |
| Год публикации |
| | 2018 |
| DOI |
| | 10.31114/2078-7707-2018-1-199-204 |
| УДК |
| | 004.415.23:621.3.049.771.14 |
|
| Аннотация |
| | Этап декомпозиции является одним из ключевых в маршруте проектирования схем в базисе реконфигурируемых систем на кристалле (РСнК). Декомпозиция позволяет повысить эффективность последующих этапов размещения элементов и трассировки межсоединений. На этапе декомпозиции решаются следующие задачи: а) повышение плотности компоновки за счет уменьшения количества создаваемых подсхем, б) уменьшение временных задержек за счет локализации критических путей внутри подсхем и использования быстрых локальных коммутационных ресурсов. На данный момент можно выделить следующие группы алгоритмов декомпозиции: (1) нисходящие алгоритмы, (2) восходящие или алгоритмы кластеризации, (3) различные эвристические алгоритмы. В данной работе представлен алгоритм на основе метода имитации отжига для оптимизации результатов декомпозиции в маршруте проектирования схем в базисе РСнК «Алмаз-14» с целевой оценочной функцией, основанной на правиле Рента. Приведено численное сравнение предложенного алгоритма со следующими тремя популярными методами: базовым алгоритмом кластеризации, алгоритмом Кернигана-Лина и алгоритмом кластеризации iRAC. Результаты численных экспериментов на наборах тестовых схем ISCAS-85 и ISCAS-89 показывают, что представленный алгоритм оптимизации в комбинации с алгоритмом iRAC имеет лучшую эффективность по сравнению с другими алгоритмами декомпозиции. |
| Ключевые слова |
| | автоматизация проектирования; кластеризация; правило Рента; алгоритм Кернигана-Лина; имитация отжига. |
| Ссылка на статью |
| | Гаврилов С.В., Железников Д.А., Чочаев Р., Хватов В.М. Алгоритм декомпозиции на основе метода имитации отжига для реконфигурируемых систем на кристалле // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем. 2018. Выпуск 1. С. 199-204. doi:10.31114/2078-7707-2018-1-199-204 |
| Адрес статьи |
| | http://www.mes-conference.ru/data/year2018/pdf/D083.pdf |
