Главная         Авторы   Статьи   Год проведения   Тематика   Организации        Конференция МЭС

Методы оптимизации схем кодирования на основе диаграмм двоичных решений для синтеза отказоустойчивых микро- и наноэлектронных схем
Авторы
	Гаврилов С.В.
	Жукова Т.Д.
	Рыжова Д.И.
Год публикации
	2016
УДК
	621.3.049.771.14
Аннотация
	Сегодня с внедрением каждой новой технологии происходит рост степени интеграции и уменьшение технологических размеров. Это приводит к необходимости повышения надежности и помехоустойчивости интегральных схем в экстремальных условиях эксплуатации. Подходы к решению данной задачи на основе линейных и циклических кодов, как правило, используются для защиты систем передачи и хранения данных, но не предназначены для повышения помехозащищенности комбинационных схем. В качестве схемотехнического решения используется мажоритарный подход с последующим голосованием на их выходах. При этом делается предположение об абсолютной надежности декодера (voter), что на практике не соответствует действительности и ведет к завышенным оценкам надежности микросистем. Кроме того, в указанных подходах отсутствует возможность гибкого управления избыточностью получаемых решений, что ведет к невозможности их адаптации к требованиям, предъявляемых к проектируемым схемам. Для решения данной проблемы в данной работе предлагается метод кодирования в базисе полей Галуа, который основан на введении структурной избыточности и обеспечивает требуемый уровень помехоустойчивости при выполнении требований к минимизации аппаратных затрат. В данной работе предлагается метод оптимизации схем кодирования с применением диаграмм двоичных решений для различных вариантов коммутирования выходов дубликата основной схемы.
Ключевые слова
	поля Галуа, помехоустойчивость, упорядоченные диаграммы двоичных решений.
Ссылка на статью
	Гаврилов С.В., Жукова Т.Д., Рыжова Д.И. Методы оптимизации схем кодирования на основе диаграмм двоичных решений для синтеза отказоустойчивых микро- и наноэлектронных схем // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем (МЭС). 2016. № 4. С. 158-165.
Адрес статьи
	http://www.mes-conference.ru/data/year2016/pdf/D013.pdf