| Оптимизация структурной схемы и разработка на ее основе МИС активного аттенюатора по SiGe технологии |
|
 |
|
|
| Авторы |
| | Мухин И.И. |
| | Репин В.В. |
| Год публикации |
| | 2014 |
| УДК |
| | 621.382.2 |
|
| Аннотация |
| | В статье рассматриваются различные варианты построения активных аттенюаторов, выполненных в монолитном исполнении. Приводятся данные о разработанной SiGe МИС активного аттенюатора L- и S-диапазонов. Разработанная МИС имеет 16 выводов, рассеиваемую мощность 0,235 Вт и диапазон регулировки коэффициента передачи 31 дБ. ривеПдены результаты моделирования, измерения и сравнительной оценки. |
| Ключевые слова |
| | дискретный аттенюатор, СВЧ полупроводниковая интегральная схема, SPDT переключатель |
| Ссылка на статью |
| | Мухин И.И., Репин В.В. Оптимизация структурной схемы и разработка на ее основе МИС активного аттенюатора по SiGe технологии // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем - 2014. Сборник трудов / под общ. ред. академика РАН А.Л. Стемпковского. М.: ИППМ РАН, 2014. Часть 3. С. 39-42. |
| Адрес статьи |
| | http://www.mes-conference.ru/data/year2014/pdf/D169.pdf |
