Главная         Авторы   Статьи   Год проведения   Тематика   Организации        Конференция МЭС

Метод создания и отладки комплексных тестов для функциональной верификации СнК, ориентированный на их повторное использование на всех этапах проектирования
Авторы
	Головина Е.
	Макеева М.
	Николаев А.В.
	Путря Ф.М.
	Смирнов А.А.
Год публикации
	2014
УДК
	004.415.538, 004.434
Аннотация
	Системы на кристалле (СнК) — сложные устройства, состоящие из множества СФ-блоков связанных между собой коммутационной логикой. Даже при условии интеграции в СнК СФ-блока, прошедшего всеобъемлющую проверку автономными тестами (например с использованием методологии UVM), высока вероятность ошибок возникающих при взаимодействии СФ-блока с другими элементами системы на фоне сочетания множества факторов, обусловленных параллельной работой других блоков и процессов. Высокая нагрузка на все узлы системы может влиять на реально достигаемые значения функциональных характеристик и параметров интегрированного в СнК СФ-блока. Для выявления данных проблем на этапе проектирования СнК необходимо создание множества комплексных тестов, обеспечивающих различные типы нагрузок на узлы верифицируемой системы. Алгоритмы и программный код таких тестов сильно привязаны к составу и архитектуре СнК, сложны в разработке и отладке. Это, зачастую, приводит к невозможности должным образом проверить модель СнК в отведённые сроки. В данной статье предлагается метод создания и отладки комплексных тестов, упрощающий как их разработку, так и повторное использование на всех этапах проектирования СнК и между проектами СнК.
Ключевые слова
	СнК, верификация, комплексные тесты, тесты системного уровня, тесты интеграции, ООП.
Ссылка на статью
	Головина Е., Макеева М., Николаев А.В., Путря Ф.М., Смирнов А.А. Метод создания и отладки комплексных тестов для функциональной верификации СнК, ориентированный на их повторное использование на всех этапах проектирования // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем - 2014. Сборник трудов / под общ. ред. академика РАН А.Л. Стемпковского. М.: ИППМ РАН, 2014. Часть 2. С. 45-50.
Адрес статьи
	http://www.mes-conference.ru/data/year2014/pdf/D026.pdf