| Особенности применения модели VBIC при проектировании ИМС на SiGe биполярных транзисторах |
|
 |
|
|
| Авторы |
| | Чаплыгин Ю.А. |
| | Адамов Ю.Ф. |
| | Тимошенков В.П. |
| Год публикации |
| | 2014 |
| УДК |
| | УДК 621.385 |
|
| Аннотация |
| | В работе рассмотрены особенности применения модели VBIC для SiGe гетеропереходного биполярного транзистора. Приведено сравнение моделирования и экспериментальных результатов статических характеристик. Исследовано влияние сопротивление со стороны базы на ВАХ ГБТ в схеме с общим эмиттером. |
| Ключевые слова |
| | гетеропереходные биполярные транзисторы (ГБТ); кремний-германий; БиКМОП, электростатическая защита |
| Ссылка на статью |
| | Чаплыгин Ю.А., Адамов Ю.Ф., Тимошенков В.П. Особенности применения модели VBIC при проектировании ИМС на SiGe биполярных транзисторах // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем - 2014. Сборник трудов / под общ. ред. академика РАН А.Л. Стемпковского. М.: ИППМ РАН, 2014. Часть 3. С. 93-98. |
| Адрес статьи |
| | http://www.mes-conference.ru/data/year2014/pdf/D018.pdf |
