| Реализация СВЧ ОУ в ограниченном БиКМОП базисе |
|
 |
|
|
| Авторы |
| | Крутчинский С.Г. |
| | Жебрун Е.А. |
| Год публикации |
| | 2012 |
| УДК |
| | 621.375 |
|
| Аннотация |
| | На базе функционально-топологических принципов собственной и взаимной компенсации влияния малосигнальных параметров полевых и биполярных транзисторов предложен набор динамических нагрузок на МОП транзисторах и принципиальные схемы однокаскадных ОУ. Отличительной особенностью схем является равенство вкладов p-МОП и n-p-n транзистора с гетеропереходом. Приводятся результаты моделирования ОУ на базе компонентов технологического процесса SGB25VD. Показаны преимущества схемотехнических решений. |
| Ключевые слова |
| | операционные усилители, СФ блоки, собственная и взаимная компенсация, параметрическая чувствительность, компенсирующие контуры обратных связей. |
| Ссылка на статью |
| | Крутчинский С.Г., Жебрун Е.А. Реализация СВЧ ОУ в ограниченном БиКМОП базисе // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем - 2012. Сборник трудов / под общ. ред. академика РАН А.Л. Стемпковского. М.: ИППМ РАН, 2012. С. 308-313. |
| Адрес статьи |
| | http://www.mes-conference.ru/data/year2012/pdf/D73.pdf |
