| Моделирование совмещенных МОП-приборов с нанометровыми размерами |
|
 |
|
|
| Авторы |
| | Ракитин В.В. |
| Год публикации |
| | 2012 |
| УДК |
| | 621.382 |
|
| Аннотация |
| | В статье рассмотрен новый тип приборов с нанометровыми размерами совмещенный МОП-транзистор (СМОП). Описана конструкция и принцип его работы. Проведено моделирование СМОП с минимальным топологическим размером 10 нм. Результаты моделирования показывают , что простейший СМОП работает при напряжении питания 0,6 В и ниже, имеет коэффициент усиления по напряжению выше 10, работоспособен на гигагерцовых частотах. Продемонстрирована возможность выполнения на СМОП сложных логических функций |
| Ключевые слова |
| | МОП-транзистор, СМОП транзистор, логический вентиль, моделирование. |
| Ссылка на статью |
| | Ракитин В.В. Моделирование совмещенных МОП-приборов с нанометровыми размерами // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем - 2012. Сборник трудов / под общ. ред. академика РАН А.Л. Стемпковского. М.: ИППМ РАН, 2012. С. 193-198. |
| Адрес статьи |
| | http://www.mes-conference.ru/data/year2012/pdf/D23.pdf |
