| Физико-химическая модель эффектов памяти и переключения в тонкопленочных элементах CdSе1-xТex |
|
 |
|
|
| Авторы |
| | Джафаров М.А. |
| | Насиров Э. |
| Год публикации |
| | 2012 |
| УДК |
| | 321.615. 592 |
|
| Аннотация |
| | Исследованы эффекты переключения и памяти в полученных методом химического осаждения на алюминиевых подложках толщиной 0,6 ... 1,2 мкм пленках CdSe1-xTex (0<=х<=0.5). Показано, что переход тонкопленочных элементов в метастабильное состояние с квазиметаллическим типом проводимости сопровождается структурными преобразованиями, при которых в результате перераспределения атомов разной валентности по узлам кристаллической решетки в структуре появляется зарядовое упорядочение электронной плотности. |
| Ключевые слова |
| | эффект переключения и памяти, метод химического осаждения |
| Ссылка на статью |
| | Джафаров М.А., Насиров Э. Физико-химическая модель эффектов памяти и переключения в тонкопленочных элементах CdSе1-xТex // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем - 2012. Сборник трудов / под общ. ред. академика РАН А.Л. Стемпковского. М.: ИППМ РАН, 2012. С. 653-656. |
| Адрес статьи |
| | http://www.mes-conference.ru/data/year2012/pdf/D22.pdf |
